Транзистор irfz44n: распиновка, схемы, аналоги и как подключить

IRLZ44N MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IRLZ44N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 110
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 55
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 16
V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2
V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 47
A

Максимальная температура канала (Tj): 175
°C

Общий заряд затвора (Qg): 48(max)
nC

Время нарастания (tr): 84
ns

Выходная емкость (Cd): 400
pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.022
Ohm

Тип корпуса:

IRLZ44N
Datasheet (PDF)

 ..1. Size:102K  international rectifier irlz44n.pdf

PD — 9.1346BIRLZ44NHEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate DriveD Advanced Process TechnologyVDSS = 55V Dynamic dv/dt Rating 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.022 Fast SwitchingG Fully Avalanche RatedID = 47ASDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieve thelowest possible on-resistan

 ..2. Size:223K  international rectifier irlz44npbf.pdf

PD — 94831IRLZ44NPbFHEXFET Power MOSFETl Logic-Level Gate DriveDl Advanced Process TechnologyVDSS = 55Vl Dynamic dv/dt Ratingl 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.022l Fast SwitchingGl Fully Avalanche Ratedl Lead-FreeID = 47ASDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieve thelowest

 ..3. Size:223K  infineon irlz44npbf.pdf

PD — 94831IRLZ44NPbFHEXFET Power MOSFETl Logic-Level Gate DriveDl Advanced Process TechnologyVDSS = 55Vl Dynamic dv/dt Ratingl 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.022l Fast SwitchingGl Fully Avalanche Ratedl Lead-FreeID = 47ASDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieve thelowest

 ..4. Size:245K  inchange semiconductor irlz44n.pdf

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRLZ44N IIRLZ44NFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 22mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAXIMUM R

 0.1. Size:178K  international rectifier irlz44ns irlz44nl.pdf

PD — 91347DIRLZ44NS/LHEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate Drive Advanced Process TechnologyDVDSS = 55V Surface Mount (IRLZ44NS) Low-profile through-hole (IRLZ44NL) 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.022 Fast SwitchingG Fully Avalanche RatedID = 47ADescriptionSFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques

 0.2. Size:340K  international rectifier irlz44nlpbf irlz44nspbf.pdf

IRLZ44NS/LPbFl Logic-Level Gate Drive l Advanced Process TechnologyDl Surface Mount (IRLZ44NS) DSS l Low-profile through-hole (IRLZ44NL)l 175C Operating Temperature DS(on) l Fast SwitchingGl Fully Avalanche Rated D l Lead-FreeSDescription

 0.3. Size:340K  infineon irlz44ns irlz44nl.pdf

IRLZ44NS/LPbFl Logic-Level Gate Drive l Advanced Process TechnologyDl Surface Mount (IRLZ44NS) DSS l Low-profile through-hole (IRLZ44NL)l 175C Operating Temperature DS(on) l Fast SwitchingGl Fully Avalanche Rated D l Lead-FreeSDescription

Другие MOSFET… IRLZ34
, IRLZ34A
, IRLZ34N
, IRLZ34NL
, IRLZ34NS
, IRLZ40
, IRLZ44
, IRLZ44A
, 12N60
, IRLZ44NL
, IRLZ44NS
, ITF86110DK8T
, ITF86116SQT
, ITF86130SK8T
, ITF86172SK8T
, ITF86174SQT
, ITF86182SK8T
.

IRFZ44N

мощный n-канальный полевой транзистор сделанный по технологии MOSFET (КМОП). Хорошие характеристики IRFZ44N дают возможность использовать его для управления мощной нагрузкой, благодаря низкому сопротивления n-канала мощность рассеивания может доходить до 83Вт. Конечно обязательным элементом будет радиатор способный рассеивать данную мощность для предотвращения выхода из строя транзистора IRFZ44N. Файл документации доступен на русском языке.

Цоколевка транзистора IRFZ44N показана на рис. 1

Характеристики транзистора IRFZ44N Корпус — TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 55 В Максимальное напряжение затвора 20 В Сопротивление в открытом состоянии 17.5 мОм Ток стока 41 А Заряд затвора 42.0 нКл Термосопротивление 1.8 К/Вт Рассеиваемая мощность 83 Вт

Видео работы контроллера бесколлекторного двигателя IRFZ44N:

В интернете часто вижу вопросы, чем отличается IRFZ44N от IRFZ44E, по сути идентичные полевые транзисторы отличающиеся лишь выходными характеристиками и то не значительно.

В своей практике использовал данные транзисторы для управления трехфазным бесколлекторным двигателем (BLDC), желательно совместно с данным транзистором использовать драйвер полевых транзисторов IR4427

Аналог транзистора IRFZ44E: iRF740

IRFZ44N – это N-канальный полевой транзистор, изготовленный по технологии MOSFET (КМОП). Это мощный транзистор обладает хорошими техническими характеристиками. Транзистор IRFZ44N идеально подходит для управления мощной нагрузкой, поскольку из-за малого сопротивления n-канала мощность рассеивания достигает 110 Вт. Безусловно, в этом случае необходимо использовать хороший теплоотвод (радиатор).

Характеристики полевого МОП-транзистора irfz44n указанные производителем в datasheet, говорят что он является мощным устройством на кремниевой основе с индуцированным n-каналом (нормально закрытым) изолированным затвором. Характеризуется такими предельными значениями: напряжение между контактами сток-исток до 55 В, током стока до 49 А, очень маленьким проходным сопротивлением 17.5 мОм и мощностью рассеивания до 94 Вт. Рабочая температура может достигать 175 °C. Разработан специально для низковольтных, высокоскоростных коммутационных систем источников питания, преобразователей и органы управления двигателями.

Транзистор IRFZ44N: характеристики, datasheet, аналоги, распиновка

Как пишут производители в технических характеристиках на IRFZ44N, этот МОП-транзистор построен на кремниевой основе и имеет индуцированный n-канал и изолированный затвор. Его рекомендуется использовать в низковольтных блоках питания, стабилизаторах и схемах управления электрическими двигателями. Отличается низкой скоростью переключения.

Цоколевка

IRFZ44N изготавливается в корпусе ТО-220. Данный корпус является стандартным для транзисторов мощностью до 50 Вт. Самая левая ножка является затвором, посередине расположен сток, а справа исток. Увидеть расположение ножек можно на рисунке.

Технические характеристики

Производители, чаще всего, помещают максимально допустимые значения в начале своей технической документации. В них приведены предельные режимы эксплуатации, превышение которых приведёт к выхожу прибора из строя. Тестирование проводится при температуре +25°С.

Приведём характеристики для IRFZ44N:

• длительный ток стока
• при температуре +25°С Ic max = 49 А;
• при температуре +100°С Ic max = 35 А.
• кратковременный ток стока Icи max = 35 А;
• мощность Рс max = 94 Вт;
• линейный к-т снижения мощности 0,63 Вт/°С;
• напряжение насыщения З – И Uзи = ±20 В;
• лавинный ток Iл = 25 А;
• пиковое диодное восстановление dv/dt = 5 В/нс;
• температура кристалла Тj = 175°С;
• рабочая температура Tamb = от -55 до +175°С;
• температура хранения Tstg = от -55 до +175°С;
• тепловое сопротивление кристалл корпус RθJC = 1,4 °С/Вт;
• тепловое сопротивление кристалл радиатор RθCS = 0,5 °С/Вт;

тепловое сопротивление кристалл воздух RθJА = 62 °С/Вт.

Теперь перейдём к рассмотрению электрических характеристик. Для IRFZ44N производители выделили отдельный раздел, который показывает исток-сток показатели диода. Все измерения, как и для предельных значений, производились при температуре +25°С. Другие параметры проведения тестирования находятся в колонке «Условия измерения» в приведённой ниже таблицы.

Электрические (при Т = +25 оC)
Параметры	Условия измерения	Обозн.	min	Тип.	max	Ед. изм
Напряжение пробоя С — И	Ic = 250мкА, Uзи = 0	Uси(проб.)	55			В
Температурный к-т напряжения пробоя	Δ Uси(проб.) /ΔTj	Ic=1мА		0,058		В/°С
Сопротивление С — И открытого транзистора	Ic = 25А, Uзи = 10В	Rси(вкл)			17,5	мОм
Пороговое напряжение затвора	Ic = 250мкА, Uси= Uзи	Uзи(пор. )	2		4	В
Проводимость в прямом направлении	Ic = 25А, Uси = 25В	Gпр.	19			S
Ток утечки сток-исток	Uси = 55В	Ic ут.			25	мкА
Uси = 55В, TJ = 150°C			250	нА
Ток утечки затвор-исток	Uзи=20В	Iз ут.			100	нА
Ток утечки затвор-исток обратный

Uзи=-20В
Iз ут.

-100
нА
Заряд затвора
Ic=28А, Uси=44В, Uзи=10В

63
нКл

Заряд затвор-исток

14
нКл

Заряд затвор-сток

23
нКл

Время задержки выключения
Uс=28В, Ic=25А,  

Rз=12ом, Uзи=10В

12

нс

Время нарастания

60

нс

Время задержки выключения

44

нс

Время спада

47

нс

Индуктивность cтока

Lc

4,5

нГн

Индуктивность иcтока

Lи

7,5

нГн

Ёмкость входа

Uзи=0В, Uси=25В, f=1МГц
Свх.

1470

пФ

Ёмкость выхода
Свых.

360

Обратная ёмкость
Сос

88

Энергия лавины моноимпульса
I AS =25А, L=0.47мГн
E AS

530
150
мДж

Исток-сток:

Непрерывный ток истока (диод)

Iи

49
А

Импульсный ток истока (диод)

Iи им

160
А

Прямое напряжение диода
IC = 25 A, Uзи = 0 В,

TJ = 25°C

Uид

1,3
В

Время восстановления при переключении в обратном направлении

Iд = 25 А, TJ = 25°C, di/dt =100мкс
tвост.

95
нс
Заряд обратного восстановления
Qобр.вост.

170
260
нКл

Аналоги

МОП-транзисторов полностью совпадающих по всем значениям с IRFZ44N не существует. Перечислим наиболее подходящие по параметрам устройства: BUZ102, IRFZ45, irfz44n IRFZ40, IRF3205, STP45NF06, STP50N06, IRLZ44Z, STP55NF06. Помните, что перечисленные транзисторы не являются полными аналогами, поэтому перед заменой нужно изучить характеристики обеих приборов.

Производители

Среди крупных производителей IRFZ44N (datasheet по ссылки) можно назвать следующие компании:

• International Rectifier;
• Inchange Semiconductor Company;
• NXP Semiconductors;
• Kersemi Electronic;
• First Components International;
• Suntac Electronic;
• Thinki Semiconductor;
• TRANSYS Electronics;
• Tiger Electronic.

Наиболее часто в отечественных магазинах встречаются изделия International Rectifier.

IRFZ44EPBF Datasheet (PDF)

0.1. irfz44epbf.pdf Size:150K _international_rectifier

PD — 94822IRFZ44EPbFHEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology Dynamic dv/dt Rating DVDSS = 60V 175C Operating Temperature Fast SwitchingRDS(on) = 0.023 Fully Avalanche RatedG Lead-FreeID = 48ASDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area.

7.1. irfz44e.pdf Size:96K _international_rectifier

PD — 91671BIRFZ44EHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyDVDSS = 60V Dynamic dv/dt Rating 175C Operating Temperature Fast SwitchingRDS(on) = 0.023G Fully Avalanche RatedID = 48ASDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Thisbenefi

7.2. irfz44espbf.pdf Size:234K _international_rectifier

PD — 95572IRFZ44ESPbFIRFZ44ELPbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process Technologyl Surface Mount (IRFZ44ES)DVDSS = 60Vl Low-profile through-hole (IRFZ44EL)l 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.023l Fast SwitchingGl Fully Avalanche RatedID = 48Al Lead-FreeSDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advancedprocessing tec

 7.3. irfz44es.pdf Size:163K _international_rectifier

PD — 9.1714IRFZ44ES/LPRELIMINARYHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyDVDSS = 60V Surface Mount (IRFZ44ES) Low-profile through-hole (IRFZ44EL) 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.023G Fast Switching Fully Avalanche RatedID = 48ASDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advancedprocessing techniques to achieve

7.4. irfz44espbf irfz44elpbf.pdf Size:234K _infineon

PD — 95572IRFZ44ESPbFIRFZ44ELPbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process Technologyl Surface Mount (IRFZ44ES)DVDSS = 60Vl Low-profile through-hole (IRFZ44EL)l 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.023l Fast SwitchingGl Fully Avalanche RatedID = 48Al Lead-FreeSDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advancedprocessing tec

 7.5. irfz44e.pdf Size:246K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRFZ44E IIRFZ44EFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 23mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAXIMUM R

7.6. irfz44es.pdf Size:205K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRFZ44ESFEATURESWith TO-263(D2PAK) packagingUninterruptible power supplyHigh speed switchingHard switched and high frequency circuits100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationzAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =2

Пример применения с Arduino

Положим пример применения для IRFZ44N с Arduino и его выводами ШИМ. И дело в том, что когда вам нужно управлять нагрузками по-разному, чтобы регулировать скорость двигателей, интенсивность освещения и т. Д., Вы можете использовать эти выводы ШИМ и транзисторы, подобные тому, который мы должны проанализировать сегодня.

Прежде всего, когда вы хотите подключить или отключить корпус от источника питания, это обычно использовать классический переключатель или реле. Но это позволяет только включаться и выключаться, как в одном случае, так и в другом.

С помощью транзистора им можно управлять с помощью электрического сигнала, как с реле, для автоматизации управления, и у вас также будет ряд такие преимущества, как переменное управление нагрузки, чтобы можно было делать это с помощью ШИМ. Вместо этого это также связано с некоторыми сложностями, такими как расчет коммутируемых токов, рабочих напряжений и т. Д.

По примерПредставьте, что вам нужно запустить электродвигатель 12 В на половину его номинальной скорости. Вы уже знаете, что на практике было бы нецелесообразно снижать мощность до 6 В без дополнительных усилий … наиболее вероятно, что они останутся неподвижными, увеличивая свою температуру и с риском повреждения элемента.

Вместо этого, что делается с ШИМ заключается в применении нескольких импульсов к номинальному напряжению за период времени, включающего и отключающего (импульсы), чтобы двигатель работал так, как вы хотите, как мы видели в статье о ШИМ, и моделировали рабочую скорость двигателя, не влияя на крутящий момент или крутящий момент двигателя.

Пока все правильно, но … что будет в приложение для освещения? Что ж, в отличие от двигателя, у которого есть инерция, в освещении, если оно включается, как с ШИМ на низкой частоте, возникают раздражающие мерцания, которые мы вряд ли оценили бы в двигателе. Однако даже в случае с двигателем из-за рывка могут возникнуть некоторые долгосрочные механические проблемы.

И какое отношение все это имеет к IRFZ55N? Что ж, если вам нужна бесперебойная работа с ШИМ, это устройство может решить все эти проблемы. Кроме того, он может управлять токами до 50 А, что обеспечивает исключительную мощность для некоторых более мощных двигателей. Помните, что, как я сказал ранее, проблема с выводами ШИМ Arduino заключается в том, что их напряжения недостаточно для управления определенными элементами, такими как двигатель 12 В, 24 В и т. Д., Поэтому транзистор и внешний источник могут вам помочь.

С помощью Arduino и двигателя, с помощью этой простой схемы подключения, которую вы видите, вы можете получить практический пример того, что я прокомментировал. Так что вы можете управление двигателем 12v с МОП-транзистором IRFZ44N простым способом.

Чтобы вы могли лучше понять работу транзистора IRFZ44N для этого типа приложений, будет использоваться последовательный монитор, откуда вы сможете ввести понятные значения. Между 0 и 255 чтобы иметь возможность управлять двигателем и наблюдать за результатами.

Относительно код эскиза для Arduino IDE, это также было бы просто

int PWM_PIN = 6;
int pwmval = 0;

void setup() {
  Serial.begin(9600);
  pinMode(PWM_PIN,OUTPUT);
  Serial.println("Introduce un valor entre 0 y 255:");
}

void loop() {
  if (Serial.available() > 1) {
      pwmval =  Serial.parseInt();
      Serial.print("Envío de velocidad a: ");
      Serial.println(pwmval);
      analogWrite(PWM_PIN, pwmval);
      Serial.println("¡Hecho!");
  }

Помните, что для Дополнительную информацию о программировании Arduino, вы можете скачать наш бесплатный курс в формате PDF.

Назначение контактов

Перед применением полевка обычно уточняют его структуру, графическое обозначение и назначение контактов. Основой такого транзистора является появляющийся в полупроводнике, с двумя выводами (сток и исток), канал с электронной проводимостью (n-типа). Ширина этого канала зависит от величины подаваемого на затвор (третий вывод) отпирающего напряжения.

Графическое обозначение

Рассмотрим графическое обозначение. Канал типа-n рисуется пунктирной чертой, между примыкающими к нему линиями истока и стока. Стрелка, направленная на пунктирную черту, указывает на электронную проводимость прибора. Выводы канала обозначаются буквами: С-сток (D-drain), И-исток (S-source). Затвор, регулирующий сопротивление канала, обозначается буквой З (G-gate). В обозначении есть так называемый “паразитный” диод, он подключен к истоку анодом. Все графическое обозначение помещено в круг, символизирующий корпус прибора.

Распиновка

Наиболее широкое распространение rfz44n получил в пластиковом корпусе ТО220 с крепежным отверстием под винт, разработанном специально для дискретных мощных полевых транзисторов компанией International Rectifier. Цоколевка irfz44n, если смотреть на лицевую сторону, следующая: слева затвор (G), справа исток (S). Средний вывод является стоком (D), электрически соединенным с встроенным в корпус радиатором. Под маркой International Rectifier существуют экземпляры в корпусах D 2 PAK и ТО-262 (irfz44ns, irfz44nl), назначение выводов аналогично ТО-220.

Качественный транзистор irfz44n для электронных проектов

О продуктах и ​​поставщиках:

 Alibaba.com предлагает большой выбор.  irfz44n транзистор  на выбор для удовлетворения ваших конкретных потребностей ..  irfz44n транзистор  являются жизненно важными частями практически любого типа электронных компонентов. Их можно использовать для создания материнских плат, калькуляторов, радиоприемников, телевизоров и многого другого. Выбрав правильный.  irfz44n, транзистор , вы можете быть уверены, что создаваемый вами продукт будет качественным и очень хорошо работает. Ключевые факторы выбора продуктов включают предполагаемое применение, материал и тип, среди других факторов.

irfz44n Транзистор изготовлен из полупроводниковых материалов и обычно имеет не менее трех выводов, которые можно использовать для подключения их к внешней цепи. Эти устройства работают как усилители или переключатели в большинстве электрических цепей. irfz44n транзистор охватывает два типа областей, которые возникают из-за включения примесей в процессе легирования. В качестве усилителей. irfz44n транзистор скрывает низкий входной ток до большой выходной энергии, и они направляют небольшой ток для управления огромными приложениями, работающими как переключатели.

Изучите прилагаемые таблицы данных вашего. irfz44n транзистор для определения ножек базы, эмиттера и коллектора для безопасного и надежного соединения. Файл. В транзисторе irfz44n на сайте Alibaba.com в качестве первичной полупроводниковой подложки используется кремний благодаря своим превосходным свойствам и желаемому напряжению перехода 0,6 В.

Устройство транзистора.

Дадим схематическое изображение структуры полевого транзистора с управляющим переходом и каналом p-типа. (рис. 1.85) и условное графическое обозначение этого транзистора (рис. 1.86, а). Стрелка указывает направление от слоя pк слою n (как и стрелка в изображении эмиттера биполярного транзистора). В интегральных микросхемах линейные размеры транзисторов могут быть меньше 1 мкм.

Удельное сопротивление слоя n(затвора) намного меньше удельного сопротивления слоя p (канала), поэтому область p-n-перехода, обедненная подвижными носителями заряда и имеющая очень большое удельное сопротивление, расположена главным образом в слое р.

Если типы проводимости слоев полупроводника в рассмотренном транзисторе изменить на противоположные, то получим полевой транзистор с управляющим p-n-переходом и каналом n-типа, его условное графическое обозначение представлено на рис. 1.86, б.

Обозначения электродов сток и исток достаточно условны. Если взять любой полевой транзистор, не подсоединенный к какой-либо цепи, то совсем нет разницы какой вывод корпуса сток, а какой исток. Имя электрода определяется его расположения в схеме.

Работа полевого транзистора JFET с N-каналом

Напряжение на затворе U_зи = 0. Подсоединим источник питания плюсом к стоку, минус к истоку. Затвор также подключим на общий. Начнем плавно увеличивать напряжение на стоке U_си. Пока оно мало, ширина канала наибольшая. В таком виде полевой транзистор выглядит как обычный проводник. Чем выше уровень напряжения U_си, тем выше ток через канал между стоком и истоком I_си. Это состояние иногда именуют омической областью.

С увеличением U_си, в областях N-типа плавно снижается количество электронов – образуется обедненный слой. Он растет несимметрично, сильнее со стороны стока, т.к туда подсоединен источник питания. В результате канал становится уже и при последующем повышении напряжения U_си, ток I_си будет увеличиваться на очень малые значения. Это состояние получило название режим насыщения.

Полупроводниковые приборы, работа которых основана на модуляции сопротивления полупроводникового материала поперечным электрическим полем, называются полевыми транзисторами.

У них в создании электрического тока участвуют носители заряда только одного типа (электроны либо дырки).

Полевые транзисторы бывают двух видов:

— с управляющим p-n-переходом;— со структурой металл-диэлектрик-полупроводник (МДП)

Транзистор с управляющим p-n-переходом представляет собой пластину (участок) из полупроводникового материала с электропроводностью p- либо n-типа, к торцам которой подсоединены электроды — сток и исток. Вдоль пластины выполнен электрический переход (p-n-переход или барьер Шотки), от которого выведен электрод — затвор.

Полевым транзистором называется полупроводниковый прибор, Усилитель ные свойства которого обусловлены потоком основных но­сителей, протекающим через проводящий канал, управляемый электричёским полем. Действие полевого транзистора обусловлено носителями заряда одной полярности.

Таким образом, в пластинке по­лупроводника, не охваченной запирающим слоем, образуется токопроводящий канал, сечение которого зависит от толщины ОПЗ. Если включить источник питания Е2, как, показано на [рис. 6.1, то через пластинку полупроводника, между выпрямляющи­ми контактами потечет ток. Область в полупроводнике, в которой регулируется поток носителей заряда, на­зывают проводящим каналом.

Электрод полевого транзистора, через который в проводящий ка­нал втекают носители заряда, называют истоком, а электрод, через который они вытекают из канала, — стоком.

Электрод полевого транзистора, на который подается электриче­ский сигнал» используемый для управления величиной тока, проте­кающего через канал, называют затвором.

Поскольку р-n — переход включен в обратном направлении, входное сопротивление прибора очень велико.

Маркировка

Префикс IRF напоминает о происхождение рассматриваемого экземляра на заводах известной американского компании International Rectifier (IR). В 2007 году IR продала технологию производства МОП-транзисторов компании Vishay Intertechnology, а уже в 2015 году другая компания (Infineon Technologies) поглотила IR. В настоящее время многие независимые производители продолжают выпускать свою продукцию с префиксом IRF, поэтому на рынке современных радиокомпонентов можно встретить и других производителей, выпускающих продукцию с такими же символами в обозначении. Например Vishay, которая больше не выпускает транзисторы irfz44n, однако у нее есть другие похожие устройства, например: IRFZ44, IRFZ44R, IRFZ44S, IRFZ44SL.

В даташит оригинального устройства указывается наличие фирменной HEXFET-технологии изготовления от International Rectifier Corporation, которая позволяет значительно снизить сопротивление электронных компонентов и соответственно уменьшить нагрев во время их работы. Так же отпадает необходимость применения охлаждающего радиатора. Технология стала популярной в 1978 году, но её до сих пор применяют при изгодовлении силовых MOSFET-транзисторов. Упрощенно HEXFET-структура International Rectifier, представлена на рисунке.

IRFZ44N фирмы IR изготовленный с HEXFET-структурой, имеет самое низкое сопротивление между стоком и истоком 17.5 миллиом. Обозначение “Power MOSFET” в техописании указывает на принадлежность устройства к мощным полупроводниковым приборам.

Главные характеристики irfz44n

Полный список параметров транзистора не приведен в даташит, поскольку он может потребоваться лишь специалистам по разработке. Большинству даже опытных пользователей нужно знать лишь часть характеристик для включения irfz44n устройства в различные электронные схемы.

При температуре не более 25 градусов транзистор имеет следующие ключевые параметры:

1. Наибольшее напряжение стока-истока — 55 Вольт.
2. Наибольший ток стока — 49 Ампер.
3. Сопротивление проводного канала стока-истока — 5 микроОм.
4. Рассеивающаяся мощность — 94 Ватт.

В ряде технических описаний наименование mosfet irfz44n транзистора с изоляцией затвора начинается с аббревиатуры МДП, что обозначает:

1. Металл.
2. Диэлектрик.
3. Полупроводник.

У этих устройств может быть 2 вида каналов:

• встроенный;
• индуцированный.

Эти полупроводниковые приборы обладают затвором, разделенным с кремниевой подложкой тончайшей прослойкой диэлектрического материала. Его толщина около 0,1 мкм.

Транзистор IRFZ44N полевой N-канальный 55V 49A корпус TO-220AB, цена 12 грн — Prom.ua (ID#1534987124)

Характеристики и описание

Описание товара Транзистор IRFZ44N полевой N-канальный 55V 49A корпус TO-220AB

IRFZ44N – N-канальный полевой транзистор с изолированным затвором (MOSFET, КМОП), изготовленный по технологии производства качественных силовых транзисторов — HEXFET. Транзистор имеет хорошие технические характеристики и нагрузочную способность, что способствует его широкому распространению в схемотехнике различных силовых промышленных установок. При правильном охлаждении максимальная мощность рассеивания может достигать 94 Вт.

Уточнение — хотя сам полевой транзистор теоретически может выдержать рассеивание вплоть до 94 Вт, сам корпус TO-220 имеет рекомендуемое тепловыделение до 50 Вт.

Применение

Идеально подходит для управления мощной нагрузкой с помощью ШИМ (широтно-импульсной модуляции), поскольку из-за малого сопротивления n-канала позволяет пропустить через себя относительно большие токи без существенного нагрева.

Транзистор IRFZ44N применяется в схемах полумостовых и мостовых блоков питания, мощных управляющих ключей, в инверторах, источниках бесперебойного питания (ИБП) и других преобразователях. Благодаря своим качественным характеристикам заслужил большую популярность как у промышленных производителей оборудования, так и у радиолюбителей в качестве основы для самоделок. Второму варианту способствует и низкая цена детали, а также ее большая распространенность.

IRFZ44N — Параметры полевого транзистора

• Тип: N-канальный
• Максимальное напряжение (сток-исток): 55 В

Максимальное напряжение (затвор-сток): ±20 В
Сопротивление открытого канала: 16. 5 мОм
Максимальный ток (T = 25°C, Напряжение затвора = 10 В): 49 А
Максимальный ток (T = 100°C, Напряжение затвора = 10 В): 35 А
Импульсный (пусковой) ток: 160 А
Общий заряд затвора: 63 нК
Емкость затвора: 1470 пФ

IRFZ44N — Аналоги и похожие модели

• STP55NF06 — практически идентичный транзистор от другого производителя.
• IRLZ44N — имеет такие же параметры, только приспособлена для работы с логическими уровнями, в частностями с выходами микросхем (о чем свидетельствует буква L (Logic) в названии). Гарантированно открывается от 5 В напряжения на затворе.

IRFZ46N — немного умощненная модель, если нужен больший запас по мощности.

Был online: Сегодня

Продавец PLUM market

2 года на Prom.ua

100+ заказов

• Каталог продавца
• Отзывы

  47

Продавец PLUM market

Был online: Сегодня

Код: TR003-1

Доставка по Украине

20+ купили

12  грн

Доставка

Оплата и гарантии