Проверка и безопасное использование
Будьте внимательными в использовании транзисторов этой серии, при покупке S8050 убедитесь, что он именно то, что Вам нужно. Очень редко, но встречаются данные транзисторы с PNP проводимостью. Так, компания Wing Shing Computer Components выпускает его с PNP проводимостью.
Придерживайтесь следующих мер безопасности:
- Не эксплуатируйте его с напряжением выше 20 В (V) и нагрузкой более 700 мА (mA);
- Используйте подходящий базовый резистор, который ограничит ток базы до требуемого уровня;
- Не подвергайте его нагреву более 150 и ниже минус 60 градусов по Цельсию;
Производители
Транзистор S8050 выпускают следующие компании:
- Wing Shing Computer Components Co.Ltd. (WS);
- UTC (Unisonic Technologies Company);
- Weitron technology co.,ltd;
- Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited;
- Daya Electric Group Co., Ltd;
- SeCoS Halbleitertechnologie GmbH;
- Shenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd;
- SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD.
Аналоги и комплементарная пара
Существуют зарубежные устройства, которые полностью идентичны ВС337 по своим характеристикам и распиновке: BC184, 2N4401, MPSA06. Российская промышленность также выпускает изделия, которыми его можно заменить: КТ660А, КТ3102Б, КТ928.
Перед заменой транзистора нужно разобраться, в какой схеме и для чего он используется, а также знать режимы его работы и сравнить технические характеристики оригинального и предполагаемого на замену прибора. И только после этого можно решать, подходит он или нет.
В качестве комлементарой пары производители рекомендуют использовать BC327.
Устройство и принцип работы симистора
Широко используется так называемые симметричные тиристоры (симисторы, триаки). Каждый симистор подобен паре рассмотренных тиристоров, включенных встречно-параллельно. Симметричные тринисторы являются управляемым прибором с симметричной вольт-амперной характеристикой. Для получения симметричной характеристики используются двухсторонние полупроводниковые структуры типа p-n-p-n-p.
Структура симистора, его УГО и ВАХ приведены на рисунке:
Симистор (триак) содержит два тиристора p1-n1-p2-n2 и p2-n2-p1-n4, включенных встречно-параллельно. Симистор содержит 5 переходов П1-П2-П3-П4-П5. При отсутствии управляющего электрона УЭ симистор называется диаком.
При положительной полярности на электроде Э1 осуществляется тиристорный эффект в p1-n1-p2-n2, а при противоположной полярности в p2-n1-p1-n4.
При подачи управляющего напряжения на УЭ в зависимости от его полярности и величины изменяется напряжение переключателя Uвкл
Тиристоры (динисторы, тринисторы, симисторы) являются основными элементами в силовых устройствах электроники. Существует тиристоры, для которых напряжение переключения больше, чем 1 кВ, а максимально допустимый ток больше, чем 1 кА
Аналоги и комплементарная пара
Для замены транзистора необходимо использовать радиокомпоненты с наиболее близким техническими характеристиками.
| Аналог | VCEO | IC | PC | hFE | fT | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BC337 | 45 | 0,8 | 0,625 | 100 | 210 | ТО-92 |
| Отечественное производство | ||||||
| КТ504Б | 350 | 1 | 1 | 15 | 20 | КТ-2-7 |
| КТ660А | 45 | 0,8 | 0,5 | 110 | 200 | КТ-26 (ТО-92) |
| КТ928Б | 60 | 0,8 | 0,5 | 50 | 250 | КТ-2-7 |
| КТ3102БМ | 50 | 0,2 | 0,25 | 200 | — | КТ-26 (ТО-92) |
| Импорт | ||||||
| BC184 | 30 | 0,2 | 0,3 | 240 | 150 | ТО-92 |
| BC637 | 60 | 1 | 1 | 40 | 50 | ТО-92 |
| 2N4401 | 40 | 0,6 | 0,31 | 100 | 250 | ТО-92 |
| 2N5818 | 40 | 0,75 | 0,5 | 150 | 135 | ТО-92 |
| MPSA06 | 80 | 0,5 | 0,625 | 50 | 100 | ТО-92 |
| SE6022 | 60 | 1 | 0,22 | 100 | 250 | ТО-106 |
Примечание: характеристики аналогов в таблице взяты из даташип производителя.
Корпуса и цоколевка аналогов
Для комплементарной пары производители предлагают использовать ВС327.
Режим насыщения
У всех транзисторов имеется определенный порог входного значения тока. Как только произойдет достижение этого значения, коэффициент усиления перестает играть большую роль. При этом выходной ток не изменяется вообще. Напряжение на контактах «база — эмиттер» может быть выше, нежели между коллектором и эмиттером. Это состояние насыщения, транзистор открывается полностью. Режим ключа говорит о том, что транзистор работает в двух режимах – либо он полностью открыт, либо же закрыт. Когда полностью перекрывается подача тока управления, транзистор закрывается и перестает пропускать ток.
Разделы справочника:
Добавить описание биполярного транзистора.Добавить описание полевого транзистора.Добавить описание биполярного транзистора с изолированным затвором.Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.Поиск полевого транзистора по основным параметрам.Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.Поиск транзистора по маркировке.Поиск корпуса электронного компонента. Узнать размеры транзистора.Добавить чертёж транзистора.Параметры транзисторов биполярных низкочастотных npn.Параметры транзисторов биполярных низкочастотных pnp.Параметры транзисторов биполярных высокочастотных npn.Параметры транзисторов биполярных высокочастотных pnp.Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных npn.Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных pnp.Параметры полевых транзисторов n-канальных.Параметры полевых транзисторов p-канальных.Параметры биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT).
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
Графические иллюстрации характеристик транзистора
Рис. 1. Внешняя характеристика транзистора в схеме с общим эмиттером (ОЭ): зависимость коллекторного тока IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE при различных значениях тока базы IB.
Характеристики сняты при температуре внешней среды Ta = 25°C.
Рис. 2. Входная характеристика транзистора в схеме ОИ: зависимость тока базы IB от напряжения эмиттер-база UBE.
Характеристика снята при трех значениях температуры внешней среды Ta и напряжении коллектор-эмиттер UCE = 6 В.
Рис. 3. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер UCE(sat) от коллекторной нагрузки IC.
Зависимость снята при трех значениях температуры внешней среды и соотношении токов IC/IB = 10.
Рис. 4. Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер UBE(sat) от коллекторной нагрузки IC.
Зависимость снята при температуре внешней среды Ta = 25°C и соотношении токов IC/IB = 10.
Рис. 5. Зависимость статического коэффициента усиления по току hFE от коллекторной нагрузки IC.
Характеристика снята при трех значениях температуры среды Ta.
Показан ход характеристик в области больших токов коллектора IC ˃ 50мА при двух значениях напряжения коллектор-эмиттер UCE 1В и 6 В.
Рис. 6. Зависимость частоты среза fT (полосы пропускания) от тока эмиттера IE транзистора в схеме ОЭ при напряжении коллектор-эмиттер UCE = 10 В и температуре среды Ta = 25°C.
Рис. 7. Ограничение рассеиваемой мощности PC транзистора при увеличении температуры внешней среды Ta.
Перевод двоичного кода десятичного числа в код семисегментного индикатора
Давайте еще раз посмотрим на схему подключения семисегментного индикатора к микроконтроллеру:
для индикатора с общим
Для того, чтобы высветить определенную цифру на индикаторе, необходимо на соответствующих выводах порта микроконтроллера установить логическую единицу
На рисунке выше, черные цифры от 0 до 7 — выводы порта, зеленные латинские буквы — выводы светодиодного индикатора, красные нули — логические уровни на выходах порта (в данном случае логический уровень «0»). Для того, чтобы, к примеру, высветить на индикаторе цифру «4» и зажечь десятичную точку нам необходимо подать логическую 1 на выводы индикатора B, C, F, G и dp, что соответствует подачи логической единицы на выводы порта 1,2,5,6 и 7:
Поэтому, первое что нам необходимо сделать, это определить соответствие каждой десятичной цифре двоичного числа, которое надо выдавать на выход порта микроконтроллера для зажигания соответствующих сегментов индикатора. Для «четверки» мы уже определили такую комбинацию = 1110 0110, что соответствует шестнадцатиричному числу 66h, определяем и для остальных цифр:
Операция, которую мы проделали, называется переводом двоичного кода десятичного числа в код семисегментного индикатора.
Данная таблица дана для семисегментных индикаторов с общим катодом (сегмент индикатора зажигается логическим уровнем «1»). Для индикаторов с общим анодом (сегмент индикатора зажигается логическим уровнем «0») двоичные коды необходимо проинвертировать (поменять 0 на 1, и наоборот) и заново вычислить соответствующие значения в шестнадцатиричной системе.
История появления транзисторов
На заре прошлых веков конца 19 века ученые физики и практики (Гутри, Браун, Эдисон, Боус, Пикард, Флеминг) разных стран совершили принципиальное открытие и получили патенты на “детектор”, “выпрямитель” – так тогда называли диод. Вслед за диодом последовало эпохальное открытие транзистора. Перечисление имен ученых разных стран, приложивших голову и руки к открытию транзистора, заняло бы много строк.
Основными теоретиками считаются Шокли, работавший в Bell Telephone Laboratories, а также его коллеги Бардин и Браттейн.
В итоге их работ, в 1947 году, получен первый образец работающего точечного германиевого транзистора, и на его основе, в том же году, был разработан первый усилитель, имевший коэффициент усиления 20 дБ (в 10 раз) на частоте 10 Мгц.
Серийный выпуск точечных транзисторов фирмой Western Electric начался в 1951 году и достиг около 10 000 штук в месяц в 1952 году. В СССР первый точечный транзистор был создан в 1949 г. Серийный выпуск точечных транзисторов был налажен в 1952 году, а плоскостных – в 1955 году. Затем последовали следующие открытия в теории и технологиях: транзисторы на выращенных переходах (1950 г.), сплавные транзисторы (1952 г.), диффузные мета-транзисторы (1958 г.), планарные транзисторы (1960 г.), эпитаксиальные транзисторы (1963 г.), многоэмиттерные транзисторы (1965 г.) и т. д.
Как же появился среди них наш герой – транзистор Дарлингтона (далее по тексту ТД)? Дарлингтон (англ. Darlingtone) – город в в Великобритании. Однако и люди могут иметь фамилии по имени городов или наоборот. Таким является сотрудник все той же фирмы Bell – Сидни Дарлингтон
Зачем же потребовалась эта “сладкая парочка”? Дело в том, что первые транзисторы имели весьма посредственные характеристики, если смотреть на сегодняшние успехи. Прежде всего – невысокий коэффициент усиления. Сейчас это кажется странным – подумаешь, каскадное соединение – это элементарно! Но тогда, в 1953 году – это были пионерские работы.
Практическое применение транзисторов
Ниже приведена схема, на которой микроконтроллер управляет зуммером (звуковым датчиком), потребляющим около 50 мА . Чаще всего с одного выхода на плате Arduino можно получить до 20 мА , поэтому прямое подключение зуммера может повредить плату. Использование транзистора, который действует как переключатель, позволяет безопасно управлять зуммером.
Управление зуммером с помощью транзистора
В этой схеме, через вывод микроконтроллера протекает только небольшой ток, порядка 0,8 мА, а питание зуммера осуществляется от транзистора. Состояние High на выходе платы Arduino включает звук.
Чтобы не вдаваться в детали расчета, можно предположить, что использование резистора 10 кОм позволяет, в таких случаях, управлять нагрузками, потребляющими не более 60 мА, а резистор 1 кОм подойдет в ситуациях, когда нагрузка потребляет до 500 мА, но тогда вам нужно будет использовать другой транзистор, например BC337 , который способен управлять таким током.
Модификации и группы транзистора C3198
| Модель | PC | UCB | UCE | UBE | IC | TJ | fT | CC | hFE ٭ | NF (типовое) dB | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| C3198 | 0,625 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 80 | 3,5 | 25…700 | ≤ 10 | TO-92 |
| C SC3198 (O, Y, GR, BL) | 0,625 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 125 | 80 | 3,5 | 25…700 | ≤ 10 | TO-92 |
| FTC3198 | 0,625 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 80 | 3,5 | 25…700 | ≤ 10 | TO-92 |
| KTC3198 | 0,625 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 80 | 3,5 | 25…700 | ≤ 10 | TO-92 |
| KTC3198A | 0,4 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 80 | 2 | 25…700 | 1 | TO-92 |
| KTC3198L ٭٭ | 0,625 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 80 | 2 | 25…700 | 0,5 (1) 0,2 (2) | TO-92 |
٭ — диапазон значений параметра hFE разделяется производителями во всех модификациях на четыре подгруппы (O, Y, GR, BL).
٭٭ — значения коэффициента шума транзистора KTC3198L: 0,5 (1) и 0,2 (2) определены при частотах сигнала соответственно 100 Гц и 1 кГц.
Аналоги
Для замены подойдут транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, для применения в быстродействующих импульсных и высокочастотных устройствах в аппаратуре общего назначения.
Отечественное производство
| Модель | PC | UCB | UCE | UBE | IC | TJ | fT | CC | hFE | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| C3198 | 0,625 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 80 | 3,5 | 25…700 | TO-92 |
| КТ604А/Б | 0,8 | 300 | 250 | 5 | 0,2 | 150 | 40 | ≤ 7 | 10…120 | TO-92 |
| КТ608А/Б | 0,8 | 60 | 60 | 4 | 0,4 | 150 | 200 | ≤ 15 | 20…160 | TO-92 |
| КТ611А/Б/В/Г | 0,8 | 200 | 180 | 4 | 0,1 | 150 | ≥ 60 | ≤ 5 | 10…120 | TO-8 |
| КТ6110 | 0,625 | 40 | 20 | 5 | 0,5 | 150 | — | — | 60…200 | TO-92 |
| КТ6111 | 0,45 | 50 | 45 | 5 | 0,1 | 150 | 150 | 3,5 | 60…1000 | TO-92 |
| КТ6117А/Б | 0,625 | 180 | 160 | 15 | 0,6 | 150 | 100 | ≤ 6 | 60…250 | TO-92 |
| КТ6137 | 0,625 | 60 | 40 | 6 | 0,2 | 150 | 300 | 4 | 100…300 | TO-92 |
| КТ660А/Б | 0,5 | 50/30 | 5 | 0,8 | 150 | 200 | ≤ 10 | 110…450 | TO-92 | |
| К125НТ1 | 0,4 | 45 | 4 | 0,4 | — | — | 15 | 10…150 | Транзисторная сборка |
Зарубежное производство
| Модель | PC | UCB | UCE | UBE | IC | TJ | fT | CC | hFE | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| C3198 | 0,625 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 80 | 3,5 | от 25 до 700 | TO-92 |
| 2SA1246 | 0,4 | 60 | 50 | 15 | 0,15 | 150 | 100 | 9 | 100 | TO-92 |
| 2SC1815 | 0,4 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 175 | 80 | 3,5 | ≥ 70 | TO-92 |
| 2SC3331 | 0,5 | 60 | 50 | 6 | 0,2 | 150 | 200 | 3 | ≥ 100 | TO-92 |
| 2SC3382 | 0,4 | 60 | 50 | 6 | 0,2 | 150 | 250 | 2,7 | ≥ 100 | TO-92 |
| KTC3199 | 0,4 | 50 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 80 | 2 | 270 | TO-92S |
| 2N6428/A | 0,625 | 60 | 50 | 6 | 0,2 | 150 | 100 | — | 100 | TO-92 |
| 2SC5343T | 0,625 | 60 | 50 | — | 0,15 | — | 80 | — | 70 | TO-92 |
| 3DG1318 | 0,625 | 60 | 50 | 7 | 0,5 | 150 | 200 | — | 85 | TO-92 |
| BC431 | 0,625 | 60 | — | 5 | 0,5 | 150 | 100 | — | 63 | TO-92 |
| BC445A | 0,625 | 60 | 60 | 6 | 0,2 | 150 | 100 | — | 120 | TO-92 |
| BC547BA3 | 0,625 | 60 | 50 | 6 | 0,2 | 150 | 100 | — | 200 | TO-92 |
| BTC945A3 | 0,625 | 60 | 50 | 5 | 0,2 | 150 | 150 | — | 135 | TO-92 |
| DTD113Z | 0,625 | 60 | 50 | — | 0,5 | 150 | 200 | — | 200 | TO-92 |
| DTD143E | 0,625 | 60 | 50 | 5 | 0,5 | 150 | 200 | — | 47 | TO-92, SOT-23, SOT-323 |
| FTC1318 | 0,625 | 60 | 50 | 7 | 0,5 | 150 | 200 | — | 85 | TO-92 |
| H1420 | 0,625 | 60 | 60 | 7 | 0,2 | 150 | 150 | — | 70 | TO-92 |
| KSP8098 | 0,625 | 60 | 60 | 6 | 0,5 | 150 | 150 | — | 100 | TO-92 |
| KTC1815 | 0,625 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 80 | — | 70 | TO-92 |
| KTC945/B | 0,625 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 300 | — | 90/70 | TO-92 |
| STS5343 | 0,625 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 80 | — | 120 | TO-92 |
| TEC9014A/B | 0,625 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 150 | — | 60/100 | TO-92 |
Примечание: данные таблиц получены из даташит компаний-производителей.
Что такое транзистор?
Резистор ограничивает ток, конденсатор накапливает заряд, а светодиод светится. Это понятно. Но что делает транзистор? Транзистор, очень популярный элемент, но описать его работу вкратце, непросто. Одно можно сказать наверняка: транзисторы произвели революцию в современной электронике.
| Транзисторы повсюду, а интегральные схемы состоят из миллионов крошечных транзисторов! |
Про работу транзистора можно сказать так, транзистор контролирует поток тока или усиливает его. Если сказать по-другому, то, транзистор является электронным переключателем. Благодаря ему мы можем безопасно (с низким током) включить поток с более высоким током.
Представьте себе электронное устройство, такое как Arduino , которое можно программировать, и с которым можно создавать чрезвычайно интересные проекты. Однако эта плата не может контролировать поток сильного тока. Вы можете, конечно, подключить к цепи светодиод, который будет потреблять небольшой ток, и все будет работать, но если вы подключите, например, мотор, то он будет потреблять такой большой ток, что вся система или плата просто сгорит.
Повреждение платы Arduino из-за слишком большого тока
Чтобы этого не произошло, мы должны будем поставить в схему транзистор. Благодаря такому решению, наша ардуиновская плата «скажет» транзистору «включиться» и принять большой ток, необходимый для питания мощного устройства, например, мотора. Таким образом, наша плата не повредится.
Типы биполярных транзисторов
Есть два типа биполярных транзисторов: NPN и PNP. Как уже упоминалось — это информация нам должна говорить о том, какой проводимости данный транзистор: прямой или обратной.
Объясняем на практике и очень упрощенно для новичков:
- Тип NPN начнет проводить ток при подаче на базу положительного напряжения по отношению к эмиттеру, т.е. при стандартном подключении к базе, мы дадим высокий потенциал (плюс от АКБ),
- Тип PNP начнет проводить ток, когда мы подадим на базу отрицательное напряжение по отношению к эмиттеру, т.е. при стандартном подключении к базе мы даем низкий потенциал (земля, минус от батареи).
| Запомните! Использование транзисторов PNP, активизируют поток тока низкого потенциала. |
Все это станет ясно после завершения практического упражнения. Прежде чем мы перейдем к упражнению, стоит упомянуть, что каждый тип транзистора имеет свой символ на схемах. В транзисторах NPN стрелка на эмиттере указывает за пределы системы, в то время как в PNP, стрелка указывает внутрь символа. Эта стрелка показывает направление, в котором ток течет между эмиттером и базой.
Условные обозначения транзисторов NPN и PNP
Основные параметры биполярного, высокочастотного, npn транзистора bc337 (bc33716, bc33725, bc33740)
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного, высокочастотного, npn транзистора bc337 (bc33716, bc33725, bc33740) . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремнийСтруктура полупроводникового перехода: npn
| Pc max, мВт | Ucb max, В | Uce max, В | Ueb max, В | Ic max, мА | Tj max, °C | Ft max, Гц | Cc tip, пФ | Hfe |
| 625 | 45 | 5 | 800 | 150 | 100000000 | 12 | 250/630 |
Производитель: FAIRCHILD SEMICONDUCTORСфера применения: Дополнительные параметры транзистора bc337 (bc33716, bc33725, bc33740):
Комплементарная пара — bc327. HFe: bc33716(ВС337-16)-100/250; bc33725(ВС337-25)- 160/400.Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Модификации транзистора
| Тип | Pc | Ucb | Uce | Ueb | Tj | Cc | Ic | hfe | ft | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BC337 | 0.36 W | 50 V | 45 V | 5 V | 150 °C | 20 pf | 0.8 A | 100 | 60 MHz | TO-92 |
| BC337-01 | 0.4 W | 45 V | 45 V | 5 V | 150 °C | 20 pf | 0.5 A | 100 | 60 MHz | TO-92 |
| BC337-025 | 0.625 W | 45 V | 0.8 A | 160 | 210 MHz | TO-92 | ||||
| BC337-040 | 0.625 W | 45 V | 0.8 A | 250 | 210 MHz | TO-92 | ||||
| BC337-10 | 0.5 W | 50 V | 45 V | 5 V | 150 °C | 24 pf | 1 A | 67 | 50 MHz | TO-92 |
| BC337-16 | 0.36 W | 50 V | 45 V | 5 V | 150 °C | 20 pf | 0.8 A | 100 | 60 MHz | TO-92 |
| BC337-16BK | 0.63 W | 50 V | 45 V | 5 V | 150 °C | 12 pf | 0.8 A | 60 | 100 MHz | TO-92 |
| BC337-25 | 0.36 W | 50 V | 45 V | 5 V | 150 °C | 20 pf | 0.8 A | 160 | 60 MHz | TO-92 |
| BC337-25BK | 0.63 W | 50 V | 45 V | 5 V | 150 °C | 12 pf | 0.8 A | 100 | 100 MHz | TO-92 |
| BC337-40 | 0.36 W | 50 V | 45 V | 5 V | 150 °C | 20 pf | 0.8 A | 250 | 60 MHz | TO-92 |
| BC337-40BK | 0.63 W | 50 V | 45 V | 5 V | 150 °C | 12 pf | 0.8 A | 170 | 100 MHz | TO-92 |
| BC337A | 0.625 W | 60 V | 5 V | 150 °C | 5 pf | 0.8 A | 100 | 200 MHz | TO-92 | |
| BC337A-16 | 0.625 W | 60 V | 60 V | 5 V | 150 °C | 18 pf | 0.8 A | 160 | 100 MHz | TO-92 |
| BC337A-25 | 0.625 W | 60 V | 60 V | 5 V | 150 °C | 18 pf | 0.8 A | 250 | 100 MHz | TO-92 |
| BC337AP | 0.36 W | 50 V | 45 V | 5 V | 150 °C | 20 pf | 0.8 A | 100 | 60 MHz | TO-92 |
| BC337BP | 0.36 W | 50 V | 45 V | 5 V | 150 °C | 20 pf | 0.8 A | 160 | 60 MHz | TO-92 |
| BC337BPL | 0.625 W | 50 V | 45 V | 5 V | 150 °C | 18 pf | 0.8 A | 250 | 100 MHz | TO-92 |
| BC337CP | 0.36 W | 50 V | 45 V | 5 V | 150 °C | 20 pf | 0.8 A | 250 | 60 MHz | TO-92 |
| BC337M | 0.3 W | 50 V | 45 V | 5 V | 150 °C | 12 pf | 0.8 A | 100 | 100 MHz | SOT23 |
| BC337P | 0.36 W | 50 V | 45 V | 5 V | 150 °C | 20 pf | 0.8 A | 100 | 60 MHz | TO-92 |
| BC337PL | 0.36 W | 50 V | 45 V | 5 V | 150 °C | 20 pf | 0.8 A | 100 | 60 MHz | TO-92 |
| SBC337 | 0.625 W | 50 V | 35 V | 5 V | 150 °C | 16 pf | 0.8 A | 100 | 100 MHz | TO-92 |
| TBC337 | 0.36 W | 50 V | 45 V | 5 V | 150 °C | 20 pf | 0.8 A | 100 | 60 MHz | TO-92 |
| TBC337-16 | 0.36 W | 50 V | 45 V | 5 V | 150 °C | 20 pf | 0.8 A | 100 | 60 MHz | TO-92 |
| TBC337-25 | 0.36 W | 50 V | 45 V | 5 V | 150 °C | 20 pf | 0.8 A | 160 | 60 MHz | TO-92 |
Транзистор BC337
Характеристики биполярного кремниевого транзистора ВС337 позволяют отнести его к высокочастотным полупроводниковым устройствам средней мощности. Материал кремний, структура n-p-n. Ток коллектора в первых партиях от Philips не превышал 500 мА. Вместе с тем, современные экземпляры других производителей способны выдерживать до 800 мА, с максимальным напряжением до 45 В. Это позволяет безболезненно применять их в управлении разными нагрузками (диодами, лампочками, реле) требующими более 24 В. Высоких коэффициент HFE, делает возможным использовать их в различных схемах предусиления и в выходных каскадах УНЧ малой мощности.
Проверка NPN-транзисторов на практике
Итак, теория позади. Пришло время проверить, как это работает на практике. О транзисторах можно очень много и долго рассказывать, но мы обсудим только их основные принципы работы. Мы начнем со схемы, которая будет использовать транзистор в качестве ключа, управляющего освещением светодиода. Таким образом, контролируя ток базы, мы сможем включать и выключать диод, подключенный к транзистору.
Для сборки схемы потребуются следующие комплектующие:
- Транзистор BC546B,
- Резисторы 1 кОм и 10 кОм,
- Светодиод,
- Аккумулятор 9 В с проводами,
- Макетная плата,
- Мультиметр.
Схема подключения представлена ниже
На точки, обозначенные как амперметры и вольтметры, можете пока не обращать внимание. Вам просто нужно собрать схему таким образом, чтобы можно было щупами мультиметра прикоснуться к этим четырем отмеченным местам
Схема с NPN транзистором
Описание выводов транзистора следует проверять в его документации. Вы также можете использовать наши схемы, вам просто нужно помнить, что всегда лучше проверять описание контактов в примечании к каталогу на наличие новых элементов (не всегда все контакты расположены в одном порядке):
Описание выводов транзистора BC546 (слева вид снизу, т.е. со стороны выводов)
Эта схема может быть собрана на макетной плате, например, следующим образом:
Сборка схемы с транзистором
На практике это может выглядеть следующим образом. В результате этого подключения загорается светодиод, в этом нет ничего необычного, правда? Однако давайте проверим, что именно происходит в цепи.
 |
 |
После подключения АКБ загорается светодиод. Ток течет через базу (ограничивается резистором 10 кОм), что позволяет току протекать через коллектор последовательно с включенным диодом. Резистор (1 кОм) ограничивает ток, протекающий через этот диод, чтобы светодиод не сгорел. Если кабель от положительной шины питания к базе отсоединен, светодиод гаснет.
Если схема работает, на ней можно сделать несколько измерений. Сначала измеряем напряжения, показанные на диаграмме. Речь идет о напряжении между базой и эмиттером (так называемая база-эмиттер) и между коллектором и эмиттером (т.е. коллектор-эмиттер).
 |
 |
| Измерение напряжения база-эмиттер | Измерение напряжения коллектор-эмиттер |
Теперь пришло время для более интересного измерения, то есть измерения силы тока. Не забудьте переместить ручку мультиметра в правильное положение и проверить базовый ток (подключив мультиметр последовательно с резистором 10 кОм ), и ток коллектора (подключив мультиметр последовательно с резистором 1 кОм). Т.к. мы ожидаем небольших значений, значит устанавливаем диапазон 20 мА.
 |
 |
| Измерение базового тока | Измерение тока коллектора |
Стоит собрать результаты измерений в таблицу:
Интерпретация измерений: напряжение коллектор-эмиттер невелико, порядка нескольких десятков милливольт. Это означает, что транзистор вошел в состояние насыщения. Такое происходит, когда через коллектор протекает ток меньший, чем можно было бы судить по коэффициенту β . Давайте проверим, так ли это: согласно документации на этот транзистор, коэффициент находится в диапазоне от 200 до 450. Об этом свидетельствует буква B в конце маркировки, которая также есть на нашем транзисторе. Фрагмент документации:
Давайте проведем простой расчет: мы знаем ток базы, мы знаем коэффициент усиления по току. Так какой ток должен протекать через коллектор, чтобы он стал ненасыщенным? Преобразуем формулу β = I c / I B к следующему виду: I c = β * I B , затем подставляем в нее крайние значения коэффициента, т.е. 200 и 450. И вычисляем диапазон ожидаемого тока коллектора:
- минимум: I c1 = β * I B = 200 * 0,86 мА = 172 мА
- максимум: I c2 = β * I B = 450 * 0,86 мА = 387 мА
Между тем, через коллектор протекает всего 7 мА. Это потому, что он ограничен резистором 1 кОм. Если бы его не было, через коллектор мог бы протекать гораздо больший ток, но это привело бы к разрушению светодиода, транзистора и (возможно) к повреждению батареи.
Транзистор здесь работает как переключатель: включив базовый ток низкой интенсивности, мы можем включить поток более высокого тока через коллектор. В свою очередь, после отключения тока базы, почти сразу пропадает и коллекторный ток.
Когда ток течет через коллектор, транзистор считается открытым. Тогда напряжение на его основе примерно на 0,7 В выше, чем на эмиттере. В свою очередь, чтобы закрыть транзистор (то есть предотвратить протекание тока коллектора), напряжение база-эмиттер должно быть уменьшено (желательно до нуля).
Корпус и распиновка
Цоколевка bc337 выглядит следующим образом. Большинство производителей выпускают его в пластмассовой упаковке ТО-92 с гибкими выводами, или её аналогах: SOT54, TO-226. Маркировка цифробуквенная, наносится на лицевой части корпуса по европейской системе Pro Electron. Если смотреть на неё, то первая ножка слева это — коллектор, второй — база, третий — эмиттер.
Несмотря на это, некоторые китайские компании выпускают устройство в тех же корпусах, что указаны выше, но с другой распиновкой. Например, у Foshan Blue Rocket Electronics сначала идет эмиттер, потом база и последним коллектор.
Использование транзисторов NPN и PNP
Пришло время объяснить практические различия между транзисторами NPN и PNP. Независимо от типа транзистора, который мы используем для пропускания большого тока (эмиттер-коллектор), нам нужно «замкнуть» схему база-эмиттер, чтобы он работал.
- В транзисторах NPN, эмиттер соединен с землей системы (GND), поэтому база должна быть подключена (через токоограничивающий резистор) к плюсу батареи (VCC).
- Однако в случае PNP, эмиттер подключен к VCC, поэтому база должна быть подключена (через резистор) к земле системы (GND).
| В таких системах, ток, протекающий через базу, чаще всего ограничивают резистором 10 кОм! |
Другими словами, протекание сильного тока можно «активировать» через резистор:
- масса системы (GND) в случае PNP,
- положительная подача (VCC) в случае NPN.
На практике, схемы, управляющие светодиодом через транзистор, могут выглядеть так, как на картинке ниже. Светодиод является здесь лишь примером, используемым для легкой демонстрации. Обычно вместо светодиодов подключаются элементы, потребляющие большой ток (например, двигатели или реле).
Обязательно запомните эти схемы. Лучше всего сейчас собрать обе схемы и протестировать их! Главное — запомнить разницу между вышеперечисленными транзисторами. Один из них позволяет току протекать по «положительной силовой шине», а другой, по «отрицательной силовой шине».
Взаимодействие с другими ключами
Для этого используются элементы связи. Так, если первый ключ на выходе имеет высокий уровень напряжения, то на входе второго происходит открытие и работает в заданном режиме. И наоборот. Такая цепь связи существенно влияет на переходные процессы, что возникают во время переключения и быстродействия ключей. Вот как работает транзисторный ключ. Наиболее распространёнными являются схемы, в которых взаимодействие совершается только между двумя транзисторами. Но это вовсе не значит, что это нельзя сделать устройством, в котором будет применяться три, четыре или даже большее число элементов. Но на практике такому сложно бывает найти применение, поэтому работа транзисторного ключа такого типа и не используется.
Заключение
Информация о маркировочных кодах, содержащаяся в литературе, требует критического подхода и осмысления. К сожалению, красиво оформленный каталог с безукоризненной полиграфией не гарантируют от опечаток, ошибок, разночтений и противоречий, поэтому исходите из данных, что приведены в справочнике о маркировке радиоэлементов.
В заключение хотелось бы поблагодарить источники, которые были использованы для подбора материала к данной статье:
www.mp16.ru
www.rudatasheet.ru
www.texnic.ru
www.solo-project.com
www.ra4a.narod.ru
Предыдущая
ПолупроводникиЧто такое биполярный транзистор
Следующая
ПолупроводникиSMD транзисторы