Транзистор 2n7002: характеристики, аналоги и маркировка

2N7002P Datasheet (PDF)

0.1. 2n7002pt.pdf Size:306K _philips

2N7002PT60 V, 310 mA N-channel Trench MOSFETRev. 1 2 July 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT416 (SC-75) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Logic-level compatible Very fast switching Trench MOSFET

0.2. 2n7002p.pdf Size:311K _philips

2N7002P60 V, 360 mA N-channel Trench MOSFETRev. 02 29 July 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits AEC-Q101 qualified Trench MOSFET technology Logic-level compat

0.3. 2n7002pw.pdf Size:148K _philips

2N7002PW60 V, 310 mA N-channel Trench MOSFETRev. 02 29 July 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT323 (SC-70) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits AEC-Q101 qualified Trench MOSFET technology Logic-level co

0.4. 2n7002ps.pdf Size:354K _philips

2N7002PS60 V, 320 mA N-channel Trench MOSFETRev. 1 1 July 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionDual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT363 (SC-88) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.1.2 Features and benefits Logic-level compatible Very fast switching Trench MOSF

Меры безопасности при работе с полевыми транзисторами

Все полевые транзисторы, будь это полевой транзистор с управляющим PN-переходом, либо МОП-транзистор, очень чувствительны к электрическим перегрузкам на Затворе. Особенно это касается электростатического заряда, который накапливается на теле человека и на измерительных приборах. Опасные значения электростатического заряда для МОП-транзисторов составляют 50-100 Вольт, а для транзисторов с управляющим PN переходом – 250 Вольт

Поэтому, самое важное правило при работе с такими транзисторами – это заземлить себя через антистатический браслет, или взяться за голую батарею ДО касания полевых транзисторов

Также в некоторых экземплярах полевых транзисторов встраивают защитные стабилитроны между Истоком и Затвором, которые вроде бы спасают от электростатики, но лучше все-таки перестраховаться лишний раз и не испытывать ~~судьбу~~ транзистор на прочность. Также не помешало бы заземлить всю паяльную и измерительную аппаратуру. В настоящее время это все делается уже автоматически через евро розетки, у которых имеются в наличии заземляющий проводник.

H2N7002 Datasheet (PDF)

0.1. h2n7002k.pdf Size:136K _hsmc

Spec. No. : MOS200803 HI-SINCERITY Issued Date : 2005.03.13 Revised Date :2010,03,04 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/5 H2N7002K N-CHANNEL TRANSISTOR Description N-channel enhancement-mode MOS transistor. ESD protected Absolute Maximum Ratings Drain-Source Voltage ……………………………………………………………………………………………

0.2. h2n7002ksn.pdf Size:156K _hsmc

Spec. No. : MOS200809 HI-SINCERITY Issued Date : 2008.11.18 Revised Date :2010.04.14 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/4 H2N7002KSN Pin Assignment & Symbol 33-Lead Plastic SOT-323 H2N7002KSN Package Code: SN Pin 1: Gate 2: Source 3: DrainN-CHANNEL TRANSISTOR 21Description N-channel enhancement-mode MOS transistor. ESD protected Absolute Maximum Ratings Drai

0.3. h2n7002sn.pdf Size:114K _hsmc

Spec. No. : MOS200605HI-SINCERITYIssued Date : 2006.02.01Revised Date : 2006.02.07MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5H2N7002SN Pin Assignment & SymbolH2N7002SN33-Lead Plastic SOT-323Package Code: SNN-Channel MOSFET (60V, 0.2A)Pin 1: Gate 2: Source 3: Drain21DDescriptionGN-channel enhancement-mode MOS transistor.SAbsolute Maximum RatingsDrain-Source Vol

0.4. h2n7002.pdf Size:129K _hsmc

Spec. No. : MOS200503 HI-SINCERITY Issued Date : 2005.04.01 Revised Date : 2009.10.09 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/5 H2N7002 N-CHANNEL TRANSISTOR Description N-channel enhancement-mode MOS transistor. SOT-23 Absolute Maximum Ratings Drain-Source Voltage ………………………………………………………………………………………………….

2N7002KW Datasheet (PDF)

0.1. 2n7002kw.pdf Size:286K _fairchild_semi

May 20112N7002KWN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFeatures Low On-Resistance Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance Fast Switching Speed Low Input/Output Leakage Ultra-Small Surface Mount Package Pb Free/RoHS Compliant ESD HBM=1000V as per JESD22 A114 and ESD CDM=1500V as per JESD22 C101DSSOT-323GMarking : 7KWAb

0.2. s2n7002kw.pdf Size:536K _secos

S2N7002KW 115mA, 60V N-Channel Enhancement MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A Suffix of -C specifies halogen & lead-free SOT-323FEATURES Low on-resistance Fast switching Speed AL Low-voltage drive 33 Easily designed drive circuits Top View C B11 2 ESD protected:1500V 2K EDH JF GMillimeter MillimeterREF. REF.

0.3. 2n7002kw.pdf Size:527K _secos

0.4. 2n7002kw.pdf Size:1922K _jiangsu

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-323 Plastic-Encapsulate MOSFETS2N7002KW N-Channel MOSFETID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-323 2.5 3 1. GATE2. SOURCE123. DRAINFEATURE APPLICATION High density cell design for Low RDS(on) Voltage controlled sm

Историческая справка

История этого популярного полупроводникового прибора хорошо известна. Первоначально он был разработан в 60-хх компанией RCA (инженерами из группы Херба Мейзеля) и производился по меза-планарному техпроцессу. Предназначался для работы в усилителях мощности. В последующем стал применяться в стабилизаторах и регуляторах напряжения в блоках питания. С середины 70-xx, вместе с поиском более экономичного способа производства, его начали изготавливать по эпитаксиальной технологии. Неплохие усиливающие свойства, их линейность при этом, cделали устройство незаменимым спутником многих УНЧ того времени.

К сожалению RCA в 1988 г. прекратило существование. Её полупроводниковый бизнес приобрела американская Harris Corporation. Сейчас транзисторы с маркировкой 2N 3055 выпускают многие зарубежные компании, в том числе с применением экологичных без свинцовых (Pb-Free) стандартов. Считается, что более новые экземпляры (выпущенные по эпитаксиальной технологии) лучше работают в схемах усиления, но хуже защищены от высоких напряжений.

Вместе тем, в последнее время качество изготовления таких транзисторов сильно упало, особенно с появлением китайских конкурентов. Кроме того, появились случаи их подделки. Маловероятно купить оригинальный экземпляр на интернет-площадках вроде Aliexpress, Amazon, eBay, и др. Поэтому многие радиолюбители предпочитают его старые версии, выпущенные преимущественно до 2000 г.

Технические характеристики

Наиболее полная и подробная информация о 2N7002, с характеристиками и графиками зависимостей, представлена в технической документации (datasheet). Согласно справочных данных, основные параметры таких устройств у всех производителей практически одинаковые. Но прогресс не стоит на месте. Вместе с новыми требованиями предъявляемыми заказчиками, ужесточением экологических стандартов, многие компании совершенствуют процессы производства с одновременным улучшением свойств своих электронных продуктов.

Например, обновлённые 2N7002 от Infineon, производят с учётом требований европейских экономических норм (RoHS), с использованием безсвинцовых (Pb-Free) и безгалогеновым (Halogen-free) технологий. Последние имеют более прочные огнеупорные пластиковые корпуса PG-SOT-23 по классификации 94V-0, внешние выводы под пайку по стандарту MIL-STD-202. Последние обладают усиленной влагозащитой согласно J-STD-020, сертификатами соответствия методике испытаний JESD22, оценены по чувствительности к электрическим разрядам (ESS class) и др.

В datasheet некоторых компаний напрямую указывается о соблюдении при производстве требований JEDEC (США). Таким образом они подчёркивают качество свой продукции и её соответствие заявленным параметрам. Почти все известные брэнды являются членами указанной ассоциации полупроводниковых технологий. Очевидно, что основные максимальные и электрические параметры у новых устройств значительно лучше, чем у первых версий 90-х годов. Именно они будут рассмотрены далее.

Максимальные значения

Максимальные характеристики 2N7002 (при Т_А=25oC):

напряжение: сток-исток (V _DS) до 60 В; затвор-исток (V _GS) до 40 В;
предельный ток стока (I _D) до 0.3 A; импульсный (I _{D pulse}) до 1.2 A;
сопротивление проводящего канала сток-исток (R _DS(on)): до 3 Ом (при V_G_S=10 В); до 4 Ом (при V_G_S=4.5 В);
рассеиваемая мощность (P _tot) — 0.5 Вт;
рабочая температура (T_j) -55…150 oC.

Электрические значения

Следует отметить, что представленные выше значения справедливы только для идеальных условий эксплуатации. Их превышение зачастую приводит к разрушению структуры транзистора, его нестабильной работе с последующим выходом из строя. С ростом температуры окружающей среды (свыше +25oC) свойства изделия ухудшаются. Поэтому при планировании использования 2N7002 необходимо предусматривать 30% запас по всем параметрам. В datasheet вместе с максимальными (абсолютными) характеристиками приводятся электрические, при которых устройство работает стабильно и долго.

Маркировка

У smd-транзистора 2N7002 буквенно-цифровая маркировка. Чаще всего на его корпусе присутствуют следующие обозначения: 7002, 12W, 7200, 702. Очень редко, особенно на старых материнских платах, такие устройства встречается с символами: K7K, 72K, 7S2.

P-канальные MOSFET транзисторы одноканальные

SOT-23

-20 В		P-Channel, -20V, 2.6A, 135 mOhm, 2.5V Drive capable, SOT-23
	P-Channel, -20V, 4.3A, 54 mOhm, 2.5V Drive capable, SOT-23
-30 В		P-Channel, -30V, 1A, 150 mOhm, SOT-23
	P-Channel, -30V, 3.6A, 64 mOhm, SOT-23

PQFN 2×2 мм, 3×3 мм

-20 В		P-Channel, -20V, 8.5A, 31 mOhm, 2.5V Capable PQFN2x2
-30 В
	P-Channel, -30V, 10A, 15 mOhm, PQFN33
	P-Channel, -30V, 8.5A, 37 mOhm, PQFN2x2

SO-8 и TSOP-6

-30 В	IRFTS9342TRPBF	P-Channel, -30V, 6A, 39 mOhm, TSOP-6
	P-Channel, -30V, 5.4A, 59 mOhm, SO-8
	P-Channel, -30V, 7.5A, 19 mOhm, SO-8
	P-Channel, -30V, 9A, 17.5 mOhm, SO-8
	P-Channel, -30V, 10A, 12 mOhm, SO-8
	P-Channel, -30V, 15A, 7.2 mOhm, SO-8
	P-Channel, -30V, 16A, 6.6 mOhm, SO-8
	P-Channel, -30V, 21A, 4.6 mOhm, SO-8

PQFN 5×6мм

-30 В

P-Channel, -30V, 23A, 4.6 mOhm, PQFN5X6

2N7002-7 Datasheet (PDF)

0.1. 2n7002-7-f 2n7002-7.pdf Size:127K _diodes

2N7002 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-ResistanceID max V(BR)DSS RDS(ON) max Low Gate Threshold Voltage TA = 25C Low Input Capacitance 60V 7.5 @ VGS = 5V 210mA Fast Switching Speed Small Surface Mount Package Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Dev

7.1. 2n7002-03.pdf Size:276K _philips

2N7002N-channel enhancement mode field-effect transistorRev. 03 27 July 2000 Product specification1. DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS1 technology.Product availability:2N7002 in SOT23.2. Features TrenchMOS technology Very fast switching Logic level compatible Subminiature surface mount package.3.

7.2. 2n7002-3.pdf Size:936K _kexin

SMD Type MOSFETN-Channel Enhancement MOSFET2N7002SOT-23-3Unit: mm+0.22.9 -0.1+0.10.4 -0.1Features3High density cell design for low RDS(ON)Voltage controlled small signal switchRugged and reliable1 2High saturation current capability+0.02+0.10.15 -0.020.95-0.1+0.11.9-0.21.Base1 GATE2.Emitter2 SOURCE3.collector3 DRAINAbsolute Maximum Ratings

7.3. 2n7002-g.pdf Size:106K _comchip

MOSFET2N7002-G (N-Channel)RoHS DeviceFeaturesSOT-23 Power dissipation : 0.35W0.119(3.00)0.110(2.80)DEquivalent Circuit0.056(1.40)0.047(1.20)DG S0.083(2.10)G : Gate 0.066(1.70)0.006(0.15)S : Source 0.002(0.05)GD : Drain0.044(1.10)0.103(2.60)0.035(0.90)0.086(2.20)S0.006(0.15)max0.020(0.50)Maximum Ratings (at TA=25C)0.013(0.35)Symbol 0.00

Электрические характеристики (при Ta = 25°C)

Характеристика	Обозначение	Параметры при измерениях	Значения ٭
Ток коллектора выключения, мкА	I_CBO	U_CE = 30 В, I_E = 0	≤ 1,0
Ток выключения коллектор-эмиттер, мкА	I_CEO	U_CE = 30 В, I_B = 0	≤ 1,0
Ток базы выключения, мкА	I_EBO	U_BE = 3 В, I_C =0	≤ 1,0
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В	U_CE(sat)	I_C = 2 А, I_B = 200 мА	≤ 0,5 В
Напряжение насыщения база-эмиттер, В	U_BE(sat)	I_C = 2 А, I_B = 200 мА	≤ 2,0
Напряжение пробоя коллектор-база, В	U_(BR)CBO	I_C = 100 мкА, I_E = 0	˃ 40
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, В	U_(BR)CEO	I_C = 1 мА, I_B = 0	˃ 30
Напряжение пробоя эмиттер-база, В	U_(BR)EBO	I_E = 100 мкА, I_C = 0	˃ 5
Статический коэффициент усиления по току	h_FE(1)	U_CE = 2 В, I_C = 0,02 А	≥ 30
h_FE(2)	U_CE = 2 В, I_C = 1,0 А	от 100 до 400
Частота среза, МГц	f_T	U_CE = 5 В, I_C = 0,1 мА	80
Выходная емкость, pF	C_C	U_CB = 10 В, I_E = 0, f = 1 МГц	45

٭ — для транзисторов PNP-структуры все значения токов и напряжений указаны по модулю.

Параметры сняты в импульсном режиме: ширина импульса 300 мкс, коэффициент заполнения (скважность) ≤ 2 %