Транзисторы кт361,кт3107

Характеристики

Группа транзисторов КТ3107 делиться на подвиды, не сильно отличающихся друг от друга характеристиками. В частности по напряжению насыщения, статическому коэффициенту усиления по току. Также может отличаться и коэффициент шума.

Общие данные для всей серии КТ3107:

• материал кристалла — кремний (Si);
• технические условия — аА0.336.170 ТУ/04;
• корпус — пластик КТ-26. Зарубежного производства ТО-92;
• структура – PNP.

Показатель	Транзистор
КТ3107А	КТ3107Б	КТ3107В	КТ3107Г	КТ3107Д	КТ3107Е	КТ3107Ж	КТ3107И	КТ3107К	КТ3107Л
Uкбо(и),В	50	50	30	30	30	25	25	50	30	25
Uкэо(и), В	45	45	25	25	25	20	20	45	25	20
Iкmax(и), мА	100 (200)	100 (200)	100 (200)	100 (200)	100 (200)	100 (200)	100 (200)	100 (200)	100 (200)	100 (200)
Pкmax(т), мВт	300	300	300	300	300	300	300	300	300	300
h21э	70- 140	120- 220	70- 140	120- 220	180- 460	120- 220	180- 460	180- 460	380- 800	380- 800
fгр., МГц	200	200	200	200	200	200	200	200	200	200

Расшифровка обозначений:

• IК max — верхний уровень постоянного тока;
• IК. И. max — верхний уровень импульсных токов коллектора;
• UКЭR max — высший уровень напряжения между эмиттером и коллектором при определённом значении тока на коллекторе и сопротивления в соединении база эмиттер;
• UКЭ0 max — допустимое напряжение между эмиттером и коллектором при определённом значении тока коллектора и токе на базе = 0;
• UЭБ0 max — верхний уровень постоянного напряжения в цепи эмиттер-база, при условии, что ток на коллекторе будет  равен 0;
• РК max — верхняя планка постоянной мощности, рассеивающейся на коллекторе устройства;
• РК. И. max — высший уровень импульсной мощности, которая рассеивается на коллекторе;
• h21Э — постоянный коэффициент передачи тока;
• h21Э — коэффициент передачи тока при низком токе в схеме с общим эмиттером;
• UКБ — уровень стабильного напряжения в сцепке коллектор-база;
• UКЭ — постоянное напряжение в цепочке коллектор-эмиттер;
• IЭ — стабильный ток на эмиттере;
• IК — стабильный ток на коллекторе;
• UКЭ нас. — напряжение обеспечивающее насыщение в цепи коллектор-эмиттер;
• IКБ0 — обратные токи коллектора;
• fгр — допустимый уровень частоты коэффициента передачи токов;
• fh21 – допустимая частота коэффициента передачи токов
• КШ- коэффициент шума;
• Т — допустимый уровень температуры.

Тепловые характеристики

Они влияют на работу устройства и представляют собой граничные значения.

№ п/п	Параметр	Показатель
1.	Общее тепловое сопротивление	420 К/Вт
2.	Температура перехода	423 К
3.	Температура окружающей среды	от 213 до 398 К

Аналоги транзистора КТ3102

КТ3102А

: 2N4123, BC547A, BC548A, BCY59-VII, BCY65-VII, BC107AP, BC182A, BC183A, BC237A, BC317, BC238A, MPS3709КТ3102Б : 2N2483, 2SC538A, 2SC828A, BC452, BC547B, BCY56, BCY59-VIII, BCY59-IX, BCY65-VIII, BCY65-IX, BCY79, MPSA09, 2SC1000GTM, 2SC1815, BC182B, BC182C, BC183B, BC237B, BC318, BC382B, SF132E, BC183C, PN2484КТ3102В : 2SC828, BC548B, MPS3708, MPS3710, 2N3711, 2SC454B, 2SC454C, 2SC454D, 2SC458, 2SC458KB, 2SC458KC, 2SC458KD, BC108AP, BC238B, BC451, SF131EКТ3102Г : 2SC538, 2SC900, 2SC923, BC547C, BC548C, MPS3711, MPS6571, BC108CP, BC238C, BC382C, SF131F, SF132FКТ3102Д : 2N2484, 2N5209, 2SC945, BC453, BC521, BC521C, BC549A, BC549B, BCY59-х, MPS3707, MPS6512, MPS6513, MPS6514, MPS6515, 2N4124, 2SC458LGB, 2SC458LGC, 2SC458LGD, BC109BP, BC184A, BC239B, BC383B, BC384BКТ3102Е : 2N5210, BC549C, BCY57, BC109CP, BC184B, BC239C, BC319, BC383C, BC384C, BFх65

Основные параметры

• Коэффициент передачи по току.
• Входное сопротивление.
• Выходная проводимость.
• Обратный ток коллектор-эмиттер.
• Время включения.
• Предельная частота коэффициента передачи тока базы.
• Обратный ток коллектора.
• Максимально допустимый ток.
• Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

Параметры транзистора делятся на собственные (первичные) и вторичные. Собственные параметры характеризуют свойства транзистора, независимо от схемы его включения. В качестве основных собственных параметров принимают:

• коэффициент усиления по току α;
• сопротивления эмиттера, коллектора и базы переменному току r_э, r_к, r_б, которые представляют собой:
  • r_э — сумму сопротивлений эмиттерной области и эмиттерного перехода;
  • r_к — сумму сопротивлений коллекторной области и коллекторного перехода;
  • r_б — поперечное сопротивление базы.

Вторичные параметры различны для различных схем включения транзистора и, вследствие его нелинейности, справедливы только для низких частот и малых амплитуд сигналов. Для вторичных параметров предложено несколько систем параметров и соответствующих им эквивалентных схем. Основными считаются смешанные (гибридные) параметры, обозначаемые буквой «h».

Входное сопротивление — сопротивление транзистора входному переменному току при коротком замыкании на выходе. Изменение входного тока является результатом изменения входного напряжения, без влияния обратной связи от выходного напряжения.

h₁₁ = U_m1/I_m1, при U_m2 = 0

Коэффициент обратной связи по напряжению показывает, какая доля выходного переменного напряжения передаётся на вход транзистора вследствие обратной связи в нём. Во входной цепи транзистора нет переменного тока, и изменение напряжения на входе происходит только в результате изменения выходного напряжения.

h₁₂ = U_m1/U_m2, при I_m1 = 0.

Коэффициент передачи тока (коэффициент усиления по току) показывает усиление переменного тока при нулевом сопротивлении нагрузки. Выходной ток зависит только от входного тока без влияния выходного напряжения.

h₂₁ = I_m2/I_m1, при U_m2 = 0.

Выходная проводимость — внутренняя проводимость для переменного тока между выходными зажимами. Выходной ток изменяется под влиянием выходного напряжения.

h₂₂ = I_m2/U_m2, при I_m1 = 0.

Зависимость между переменными токами и напряжениями транзистора выражается уравнениями:

U_m1 = h₁₁I_m1 + h₁₂U_m2;

I_m2 = h₂₁I_m1 + h₂₂U_m2.

В зависимости от схемы включения транзистора к цифровым индексам h-параметров добавляются буквы: «э» — для схемы ОЭ, «б» — для схемы ОБ, «к» — для схемы ОК.

Для схемы ОЭ: I_m1 = I_mб, I_m2 = I_mк, U_m1 = U_mб-э, U_m2 = U_mк-э. Например, для данной схемы:

h_21э = I_mк/I_mб = β.

Для схемы ОБ: I_m1 = I_mэ, I_m2 = I_mк, U_m1 = U_mэ-б, U_m2 = U_mк-б.

Собственные параметры транзистора связаны с h-параметрами, например для схемы ОЭ:

С повышением частоты заметное влияние на работу транзистора начинает оказывать ёмкость коллекторного перехода C_к. Его реактивное сопротивление уменьшается, шунтируя нагрузку и, следовательно, уменьшая коэффициенты усиления α и β. Сопротивление эмиттерного перехода C_э также снижается, однако он шунтируется малым сопротивлением перехода r_э и в большинстве случаев может не учитываться. Кроме того, при повышении частоты происходит дополнительное снижение коэффициента β в результате отставания фазы тока коллектора от фазы тока эмиттера, которое вызвано инерционностью процесса перемещения носителей через базу от эммитерного перехода к коллекторному и инерционностью процессов накопления и рассасывания заряда в базе. Частоты, на которых происходит снижение коэффициентов α и β на 3 дБ, называются граничными частотами коэффициента передачи тока для схем ОБ и ОЭ соответственно.

В импульсном режиме ток коллектора изменяется с запаздыванием на время задержки τ_з относительно импульса входного тока, что вызвано конечным временем пробега носителей через базу. По мере накопления носителей в базе ток коллектора нарастает в течение длительности фронта τ_ф. Временем включения транзистора называется τ_вкл = τ_з + τ_ф.

Зарубежные аналоги КТ3102

Для замены KT 3102 существует очень большое количество зарубежных аналогов KT 3102. Аналог может быть абсолютно идентичен оригиналу, например, КТ3102 можно смело заменять на 2 SA 2785. Эта замена KT 3102 абсолютно никак не повлияет на работу конкретной схемы, т.к транзисторы имеют одинаковые показатели. Существуют также неидентичные аналоги, которые немного отличаются по показателям, но их использование всё равно возможно в некоторых случаях.

Некоторые зарубежные аналоги КТ3102 были приведены в таблице. Также данный прибор может быть заменён отечественными аналогами КТ611 и КТ660 либо на такие зарубежные аналоги, как ВС547 и ВС548.

Параметры полевых транзисторов n-канальных. Параметры полевых транзисторов p-канальных. Добавитьописание полевого транзистора.

Параметры транзисторов биполярных низкочастотных npn. Параметры транзисторов биполярных низкочастотных pnp. Параметры транзисторов биполярных высокочастотных npn. Параметры транзисторов биполярных высокочастотных pnp. Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных npn. Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных pnp. Добавитьописание биполярного транзистора.

Параметры биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT). Добавитьописание биполярного транзистора с изолированным затвором.

Поиск транзистора по маркировке. Поиск биполярного транзистора по основным параметрам. Поиск полевого транзистора по основным параметрам. Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.

Типоразмеры корпусов транзисторов. Магазины электронных компонентов.

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте». Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо. Спасибо за терпение и сотрудничество.

Маркировка и цоколёвка

Данный прибор имеет структуру n — p — n . Выводы элемента слева-направо, при обращении лицевой части транзистора к нам(плоская сторона с маркировкой), имеют такой порядок – “коллектор-база-эмиттер”. Цоколёвку КТ3102 нужно знать и учитывать её при пайке прибора. Ошибка при пайке может повредить весь транзистор.

Маркировка транзисторов применяется для различия одного типа прибора от другого. Например, различия между типом А и Б. В случае КТ3102, маркировка имеет следующую структуру:

• Зелёный кружок на лицевой стороне означает тип транзистора. В нашем случае – КТ3102.
• Кружок сверху означает букву прибора (А, Б, В и т.д). Применяются следующие обозначения :

А – красный или бордовый. Б – жёлтый. В – зелёный. Г – голубой. Д – синий. Е – белый. Ж – тёмно-коричневый.

На некоторых приборах вместо цветовых обозначений, маркировка пишется словами. Например, 3102 EM. Подобные обозначения удобнее цветных.

Знание маркировки транзистора позволит правильно подобрать нужный элемент, согласно требуемым параметрам.

Транзисторы биполярные в корпусе SOT-23

SMD транзисторы. Маркировка и взаимозамена SMD-транзисторов. Как по маркировке правильно определить тип установленного в плату SMD- прибора, быстро и точно найти замену, подскажет предлагаемый материал. Можно спорить о частоте таких совпадений, но они нередки и встречаются даже среди продукции одной фирмы. Различить такие совпадения может только опытный человек по окружающим компонентам обвески и схеме включения. А пока встречаются элементы, корпус которых имеет стандартные размеры, но нестандартное название.

Корпуса с одним и тем же названием могут иметь разную высоту. В табл. Большинство из SMD-транзисторов можно заменить на их аналоги, а также на обычные дискретные транзисторы, зная электрические характеристики возможных замен. Таблица 3. Маркировка некоторых SMD-транзисторов и аналог для замены. Обозначение на корпусе. Тип транзистора.

Аналог по электрическим. В СА. MMBCF3 -. В таблице представлен далеко не полный список активных приборов в SMD- корпусах. Данные по SMD-транзисторам можно найти самостоятельно, обратившись к справочной литературе. Маркировка и электрические характеристики некоторых SMD-транзисторов широкого применения. U кэ откр. F гр МГц. SOT Маркировка транзисторных SMD-сборок. Маркировка некоторых высоковольтных SMD-транзисторов.

Коэффициент передачи. Тип прибора. SST «. Сейчас на сайте: гостей 3 роботов. Новые пользователи: Administrator. Всего пользователей: 1.

Подписка на новости. Все для радиолюбителя. Для тебя. Пользователи : 1 Статьи : Просмотры материалов : Подписка на новости Все для радиолюбителя. Маркировка некоторых SMD-транзисторов и аналог для замены Обозначение на корпусе. Аналог по электрическим характеристикам. U кэ откр В. I к const mA. Коэффициент передачи на МГц.

Граничная частота.

Как применять полевой транзистор для чайников

Первыми приборами, которые поступили на рынок для реализации, и в которых были использованы полевые транзисторы с управляющими p-n переходами, были слуховые аппараты. Их изобретение состоялось еще в пятидесятые годы XX века. В более крупным масштабах они применялись, как элементы для телефонных станций.

В наше время, применение подобных устройств можно увидеть во многих видах электротехники. При наличии маленьких размеров и большому перечню характеристик, полевые транзисторы встречаются в кухонных приборах (тостерах, чайниках, микроволновках), в устройстве компьютерной, аудио и видео техники и прочих электроприборах. Они используются для сигнализационных систем охраны пожарной безопасности.

На промышленных предприятиях транзисторное оборудование применяют для регуляции мощности на станках. В сфере транспорта их устанавливают в поезда и локомотивы, в системы впрыскивания топлива на личных авто. В жилищно-коммунальной сфере транзисторы позволяют следить за диспетчеризацией и системами управления уличного освещения.

Также самая востребованная область, в которой применяются транзисторы – изготовление комплектующих, используемых в процессорах. Устройство каждого процессора предусматривает множественные миниатюрные радиодетали, которые при повышении частоты более чем на 1,5 ГГц, нуждаются в усиленном потреблении энергии. В связи с этими разработчики процессорной техники решил создавать многоядерные оборудования, а не увеличивать тактовую частоту.

Техническое описание

Транзистор выпускается с гибкими выводами в пластмассовом корпусе КТ-26 (ТО-92), либо в металлостеклянном корпусе КТ-17. Цоколевка выводов кт3102 следующая: 1 – эмиттер, 2 – база, 3 –коллектор.

Характеристики

Все нижеуказанные характеристики для транзисторов в пластиковом корпусе КТ3102 (А-Л) идентичны соответствующим параметрам в металлостекленном (АМ- ЛМ).

• принцип действия – биполярный;
• корпус: пластик для КТ26 (ТО-92); металлостеклянный у КТ-17;
• материал – кремний (Si);
• npn-проводимость (обратная);

предельно допустимые электрические эксплуатационные данные (при температуре окружающей среды от +25 °C):

основные электрические параметры:

• IКБО (ICBO) не более 50 нА (nA), при UКБ макс. (VCB max) = 50 В (V) и IЭ (IE)=0;
• IЭБО (IEBO) не более 10 мкА (µA), при UEБ макс. (VEB max ) = 5 В (V);
• fгр норм.(ftTYP) от 100 до 300 МГц (MHz), при UКб (VCB) = 5 В (V), IЭ (IE)= 10 мА (mA);
• емкость коллекторного перехода СК (СС) 6 пФ (pF) при UКБ (VCB) = 5 В (V), f= 10 МГц (MHz);
• коэффициент шума КШ (Noise Figure) NF от 4 до 10 Дб (dB), при UКЭ(VCE) =5 В (V), IK (Ic) = 0.2 мА (mA);
• cтатический коэффициент усиления по току h21E находится в диапазоне от 100 до 1000, при UКЭ(VCE) =5 В (V), IK (Ic) = 2 мА (mA), f=50 Гц(Hz).
• тепловое сопротивление переход- среда 0,4 °C/мВт (°C/mW);
• Токр от -40 до +85 °C.

При выборе транзистора обратите внимание на дату выпуска и его предельно допустимые напряжения и токи, определите возможность его использования в схеме. Более новые модели имеют преимущества перед старыми, так как производители непрерывно работают над улучшением характеристик в своих продуктах. Не стоит забывать, что у некоторых из них (например КТ3102Г, КТ3102Е) предельные значения по напряжению не превышают 20 В

Ниже приведена классификация КТ3102

Не стоит забывать, что у некоторых из них (например КТ3102Г, КТ3102Е) предельные значения по напряжению не превышают 20 В. Ниже приведена классификация КТ3102.

По мнению радиолюбителей, несмотря на идентичность характеристик заявленных производителем, транзистор в пластиковом корпусе немного уступает металлостеклянному. Так, при работе на предельно допустимых параметрах, пластик расширяется и сжимается, что нередко приводит к отрыву выводов от кристалла. Это основная причина, из за которой стоит подумать о применении устройства в пластиковом корпусе. Кроме того пластик иногда становится не герметичен и вдоль выводов к кристаллу может проникать влага. Считают, что в металлопластиковом корпусе кристалл рассеивает большую мощность. Так же у него будет меньшее тепловое сопротивление, а следовательно устройство будет меньше греться и в свою очередь схема будет работать более стабильней.

Зарубежными аналогами, с похожими техническими характеристиками считаются: BC 174, 2S A2785, BC 182, BC 546, BC 547, BC 548, BC 549. Прототипами для разработки некоторых серий КТ3102 были: BC 307A, BC 308A BC 308B, BC 309B, BC 307B, BC 308C, BC 309C. Из российских аналогов КТ-3102, в качестве замены может подойти КТ 611 или популярный КТ315 с группой Б, Г, Е.

Маркировка

Транзисторы маркируются на боковой стороне корпуса. КТ3102 разных годов выпуска могут встречается с различной маркировкой. До 1995 года производители использовали цветовую и кодовую (буквенно-цифровая и символьно-цветовая) маркировку. Советские транзисторы КТ3102 до 1986 года, изготовленные в корпусе КТ-26, можно узнать по темно-зеленой точке на передней части корпуса. По цвету точки, нанесенной на корпусе сверху, определить принадлежность транзистора конкретной к группе. Дата выпуска при цветовой обозначении могла не указываться.

Маркировать транзистор кт3102 с использованием стандартного метода начали с 1986 года. Согласно кодовой метки он узнаваем по белой фигуре прямоугольного треугольника, размещенного на передней части корпуса (слева сверху), обозначающему его тип (модель). Правее указывается групповая принадлежность, а в нижней части год и месяц даты выпуска. В стандартной кодовой маркировке так же указывался год и месяц выпуска транзистора.

Иногда встречается нестандартные цветовые и кодовые маркировки. Как правило, в них не хватает информации о дате выпуска или групповой принадлежности. Современные производители, уже не используют фигуры в обозначении, а указывают на корпусе полное название типа и группы транзистора. Кроме этого на корпусе можно увидеть знак, указывающий на производителя устройства.

Как уже писалось ранее, транзистор встречается в пластиковом и металлическом корпусе. Устройства с пластиковым корпусом КТ-26 содержат в конце символ “М”. Например КТ3102ВМ это транзистор в пластиковом корпусе КТ-26, а КТ3102В в металлическом КТ-17.

Discrete Component Field Effect Transistor Driver

Одно дело, когда для скоростного управления мощным полевым транзистором с тяжелым затвором есть готовый драйвер в виде специализированной микросхемы типа UCC37322, и совсем другое, когда есть такого драйвера нет, и схема управления силовым ключом должна быть реализована здесь и сейчас.

В таких случаях часто приходится прибегать к помощи имеющихся дискретных электронных компонентов, и уже из них собирать привод затвора. Дело, казалось бы, не хитрое, однако для получения адекватных временных параметров переключения полевого транзистора все должно быть сделано качественно и работать корректно.

Очень стоящую, краткую и качественную идею с целью решения подобной задачи предложил еще в 2009 году Сергей BSVi в своем блоге «Страница встраивания».

Схема успешно проверена автором в полумостовом режиме на частотах до 300 кГц. В частности, на частоте 200 кГц при емкости нагрузки 10 нФ удалось получить фронты длительностью не более 100 нс. Давайте посмотрим на теоретическую сторону этого решения, и попробуем подробно разобраться, как работает эта схема.

Основные токи заряда и разряда затвора при отпирании и запирании отмычкой протекают через биполярные транзисторы выходного каскада драйвера. Эти транзисторы должны выдерживать пиковый ток управления затвором, а их максимальное напряжение коллектор-эмиттер (согласно даташиту) должно быть больше напряжения питания драйвера. Обычно для управления полевым затвором достаточно 12 вольт. Что касается пикового тока, то будем считать, что он не превышает 3А.

Если для управления ключом нужен больший ток, то и транзисторы выходного каскада должны быть более мощными (разумеется, с подходящей предельной частотой передачи тока).

Для нашего примера в качестве транзисторов выходного каскада подойдет комплементарная пара — BD139 (NPN) и BD140 (PNP)

Они имеют предельное напряжение коллектор-эмиттер 80 вольт, пиковый ток коллектора 3А, частоту отсечки по току 250 МГц (важно!), и минимальный статический коэффициент передачи по току 40

Для увеличения коэффициента усиления по току, до выходных транзисторов БД139 добавлена ​​дополнительная комплиментарная пара слаботочных транзисторов КТ315 и КТ361 с максимальным обратным напряжением 20 вольт, минимальным статическим коэффициентом передачи тока 50 и частотой среза 250 МГц.и БД140.

В результате получаем две пары транзисторов, соединенных по схеме Дарлингтона с суммарным минимальным коэффициентом передачи тока 50*40=2000 и с частотой среза 250 МГц, то есть теоретически в пределе коммутации скорость может достигать нескольких наносекунд. Но так как речь идет об относительно длительных процессах заряда и разряда затворной емкости, то это время будет на порядок больше.

Сигнал управления необходимо подать на объединенную базу транзисторов КТ315 и КТ361. Токи открытия баз NPN (верхний) и PNP (нижний) транзисторов должны быть разделены.

Для этого в схеме можно было установить разделительные резисторы, но решение с установкой вспомогательного блока на КТ315, резисторе и диоде 1н4148 оказалось гораздо более эффективным именно для этой схемы.

Функция этого блока — быстро активировать базы верхних транзисторов слаботочного каскада при подаче более высокого напряжения на базу этого блока, и так же быстро через диод подтягивать базы к минусу при появлении сигнала самого низкого уровня появляется на основании устройства.

Для возможности управления данным драйвером от слаботочного источника сигнала с выходным током порядка 10 мА в схеме установлены слаботочный полевой транзистор КП501 и быстродействующая оптопара 6н137 .

При подаче управляющего тока через цепочку из 2-3 оптронов выходной биполярный транзистор внутри нее переходит в проводящее состояние, а на выводе 6 имеется открытый коллектор, к которому подключен резистор, притягивающий затвор слаботочный полевой транзистор КП501 к плюсовой шине питания оптопары.

Таким образом, при подаче на вход оптрона сигнала высокого уровня, на затворе полевого контроллера КП501 будет сигнал низкого уровня, и он закроется, тем самым обеспечив возможность протекания тока через базу верхний по схеме КТ315 — драйвер будет заряжать ворота основного полевого контроллера.

DataSheet

Цоколевка транзистора КТ3107Параметры транзистора КТ3107

Параметр	Обозначение	Маркировка	Условия	Значение	Ед. изм.
Аналог		КТ3107А	ВС557А, MPS3703,BC177VI *1, BC307VI *3, ВСХ79-7 *1, EN3250 *3, MPS6517 *1, MPS6516 *1, IMBT3905 *1, BSS69 *1, BSS69R *1, ВСХ78-7 *3, 2SA608SPAD *3, 2SA608NPD *3, 2SA495 *3
КТ3107Б	ВС308А, ВС212А, JC560A *1, JC557A *1, ВС204А *1, ВСХ79-8 *1, BCX71GR *1, BCX79VII *1, KC307A *3, IMBT2907 *3, ВСХ78-8 *3, BCX78VII *3, 2SA608SPAE *3, 2SA608NPE *3, JC559A *3, JC558A *3
КТ3107В	ВС178АР, BCY72, РС108 *1, ВС260В *3, BC250B *3
КТ3107Г	ВС308А, ВС558А, РС109 *1, ВС357 *1, BSY40 *3, ВС205А *1
КТ3107Д	ВС308А, ВС178ВР, CD9012H *3, CD9012I *3, KC308B *3
КТ3107Е	ВС179АР, ВС309В, BC205A *1, BC205 *3, BC252A *1, BC262A *1, BC263A *1
КТ3107Ж	ВС309В, ВС179ВР, ВС559, BC252B *1, BC205B *1, BC206B *1, BC260C *1, BC253C *1
КТ3107И	ВС307В, ВС212С, BCX79VIII *1, JC557 *3, BC560A *3, BC177-6 *1, BC204B *1, BCX79-9 *1, BCX79-8 *3, BCX71 HR *1, BCX71H *1, BCX71GR *3, BCX79VII *3, MPS6518 *1, BCX78-9 *1 , BCX78-8 *3, BCX78VIII *1, BCX78VII *3, BCY78-8 *3, BCY78-7 *3, 2SA608SPAF *3, 2SA608SP *3, 2SA4950
КТ3107К	ВС308С, ВС213С, MPS6519 *1, КС308С *3, 2SB598G *3
КТ3107Л	ВС309С, ВС322С, BC205B *3, BC206B *3, ВС259С *3, ВС260С *3, BC253C *3, ВС250С *3
Структура	—	p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора	PK max,P*K, τ max,P**K, и max	—	—	300	мВт
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером	fгр, f*h21б, f**h21э, f***max	КТ3107А	—	≥200	МГц
КТ3107Б	—	≥200
КТ3107В	—	≥200
КТ3107Г	—	≥200
КТ3107Д	—	≥200
КТ3107Е	—	≥200
КТ3107Ж	—	≥200
КТ3107И	—	≥200
КТ3107К	—	≥200
КТ3107Л	—	≥200
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера	UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб.	КТ3107А	—	50	В
КТ3107Б	—	50
КТ3107В	—	30
КТ3107Г	—	30
КТ3107Д	—	30
КТ3107Е	—	25
КТ3107Ж	—	25
КТ3107И	—	50
КТ3107К	—	30
КТ3107Л	—	25
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора	UЭБО проб.,	КТ3107А	—	5	В
КТ3107Б	—	5
КТ3107В	—	5
КТ3107Г	—	5
КТ3107Д	—	5
КТ3107Е	—	5
КТ3107Ж	—	5
КТ3107И	—	5
КТ3107К	—	5
КТ3107Л	—	5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора	IK max, I*К , и max	КТ3107А	—	100(200*)	мА
КТ3107Б	—	100(200*)
КТ3107В	—	100(200*)
КТ3107Г	—	100(200*)
КТ3107Д	—	100(200*)
КТ3107Е	—	100(200*)
КТ3107Ж	—	100(200*)
КТ3107И	—	100(200*)
КТ3107К	—	100(200*)
КТ3107Л	—	100(200*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера	IКБО, I*КЭR, I**КЭO	КТ3107А	20 В	≤0.1	мкА
КТ3107Б	20 В	≤0.1
КТ3107В	20 В	≤0.1
КТ3107Г	20 В	≤0.1
КТ3107Д	20 В	≤0.1
КТ3107Е	20 В	≤0.1
КТ3107Ж	20 В	≤0.1
КТ3107И	20 В	≤0.1
КТ3107К	20 В	≤0.1
КТ3107Л	20 В	≤0.1
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером	h21э, h*21Э	КТ3107А	5 В; 2 мА	70…140
КТ3107Б	5 В; 2 мА	120…220
КТ3107В	5 В; 2 мА	70…140
КТ3107Г	5 В; 2 мА	120…220
КТ3107Д	5 В; 2 мА	180…460
КТ3107Е	5 В; 2 мА	120…220
КТ3107Ж	5 В; 2 мА	180…460
КТ3107И	5 В; 2 мА	180…460
КТ3107К	5 В; 2 мА	380…800
КТ3107Л	5 В; 2 мА	380…800
Емкость коллекторного перехода	cк, с*12э	КТ3107А	10 В	≤7	пФ
КТ3107Б	10 В	≤7
КТ3107В	10 В	≤7
КТ3107Г	10 В	≤7
КТ3107Д	10 В	≤7
КТ3107Е	10 В	≤7
КТ3107Ж	10 В	≤7
КТ3107И	10 В	≤7
КТ3107К	10 В	≤7
КТ3107Л	10 В	≤7
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером	rКЭ нас, r*БЭ нас	КТ3107А	—	≤20	Ом
КТ3107Б	—	≤20
КТ3107В	—	≤20
КТ3107Г	—	≤20
КТ3107Д	—	≤20
КТ3107Е	—	≤20
КТ3107Ж	—	≤20
КТ3107И	—	≤20
КТ3107К	—	≤20
КТ3107Л	—	≤20
Коэффициент шума транзистора	Кш, r*b, P**вых	КТ3107А	1 кГц	≤10	Дб, Ом, Вт
КТ3107Б	1 кГц	≤10
КТ3107В	1 кГц	≤10
КТ3107Г	1 кГц	≤10
КТ3107Д	1 кГц	≤10
КТ3107Е	1 кГц	≤4
КТ3107Ж	1 кГц	≤4
КТ3107И	1 кГц	≤10
КТ3107К	1 кГц	≤10
КТ3107Л	1 кГц	≤4
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте	τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс)	КТ3107А	—	—	пс
КТ3107Б	—	—
КТ3107В	—	—
КТ3107Г	—	—
КТ3107Д	—	—
КТ3107Е	—	—
КТ3107Ж	—	—
КТ3107И	—	—
КТ3107К	—	—
КТ3107Л	—	—

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов. *1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Таблица 4 – Электрические параметры транзисторов КТ361Е, КТ361Ж, КТ361И, КТ361К, КТ361А, КТ361М, КТ361Н и КТ361П при приемке и поставке

Наименование параметра (режим измерения), единица измерения	Буквенное обозначение	Норма	Температура, °С
		КТ361Е	КТ361Ж	КТ361И	КТ361К	КТ361Л	КТ361М	КТ361Н	КТ361П
не менее	не более	не менее	не более	не менее	не более	не менее	не более	не менее	не более	не менее	не более	не менее	не более	не менее	не более
Обратный ток коллектора (UКБ=10 В), мкА	IКБО		1		1		1		1		0,1		0,05		0,1		0,05	25; -60
	25		25		25		25		2,5		5		2,5		5	100
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (IЭ=1 мА, UКБ=10 В)	h21Э	50	350	50	350	250	–	50	350	50	350	70	160	20	90	100	350	25
50	500	50	700	250	–	50	700	50	500	70	300	20	150	100	500	100
15	350	25	350	100	–	25	350	15	350	30	160	10	90	15	350	-60
Обратный ток коллектор-эмиттер (RБЭ=10 кОм UКЭ=25 В), мА (RБЭ=10 кОм UКЭ=20 В), мА (RБЭ=10 кОм UКЭ=40 В), мА (RБЭ=10 кОм UКЭ=35 В), мА	IКЭR		1		1		1		1		0,01		0,01		0,05		0,01	25
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте (UКБ = 10 В, IЭ= 5 мА, f = 100 МГц)	|h21Э|	2,5		2,5		2,5		2,5		2,5		2,5		1,5		3		25
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте (IЭ= 5 мА, UКБ=10 В, f=5 МГц), пс	τк		800		800		800		400		400		400		150		500	25

Рисунок 3 – Типовые выходные характеристики транзисторовКТ361А, КТ361В, КТ361Д, КТ361А1, КТ361Д1, КТ361Н

Рисунок 4 – Типовые выходные характеристики транзисторов КТ361Б, КТ361Г,КТ361Г1, КТ361Е, КТ361Ж, КТ361И, КТ361К, КТ361Л, КТ361М, КТ361П

Рисунок 5 – Типовые входные характеристики транзисторов КТ361

Рисунок 6 – Зависимость обратного тока коллектора транзисторов КТ361от температуры окружающей среды с границами 95% разброса

Рисунок 7 – Зависимость напряжения между коллектором и эмиттером транзисторовКТ361, в режиме насыщения от температуры окружающей среды с 95% разбросом

Рисунок 8 – Зависимость статического коэффициента передачи тока в режиме большогосигнала с границами 95% разброса для транзисторов КТ361А, КТ361В, КТ361Д,КТ361Д1, КТ361А1, КТ361Н и КТ361М

Рисунок 9 – Зависимость статического коэффициента передачи тока в режиме большогосигнала с границами 95% разброса для транзисторов КТ361Б, КТ361Е, КТ361Ж,КТ361И, КТ361К, КТ361Л и КТ361Г

Рисунок 10 – Зависимость модуля коэффициента передачи тока на высокой частоте оттока эмиттера транзистора КТ361 с границами 95% разброса

Рисунок 11 – Зависимость минимальной наработки от режимаэксплуатации при токе коллектора 12 мА

В любом режиме, из указанных на рисунке 11, при конкретном применении максимальная ожидаемая интенсивность отказов может быть определена по следующей формуле:

λ ≤ 2∙10-8∙(J_p∙500000)/(12∙t_н)

где J_p – рабочий ток коллектора, мА;t_н – наработка, часов, определенная по рисунку 11, при конкретной рассеиваемой мощности.

Рисунок 12 – Зависимость постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте оттока эмиттера транзистора КТ361 с границами разброса 95%

Рисунок 13 – Зависимость постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте отнапряжения на коллекторе транзистора КТ361 с 95% разбросом

Рисунок 14 – Зависимость максимально допустимого напряжения между коллектором иэмиттером транзистора КТ361 от температуры окружающей среды

Рисунок 15 – Зависимость максимально допустимого напряжения между коллектором ибазой транзистора КТ361 от температуры окружающей среды

Аналоги биполярных транзисторов

Приведенные ниже данные составил Козак Виктор Романович

Аналоги биполярных транзисторов
КТ209	MPS404
КТ368А9	BF599
КТ3102АМ КТ3102БМ КТ3102ВМ КТ3102ДМ	BC547A BC547B BC548B BC549C
КТ3107БМ КТ3107ГМ КТ3107ДМ КТ3107ЖМ КТ3107ИМ КТ3107КМ КТ3107ЛМ	BC308A BC308A BC308B BC309B BC307B BC308C BC309C
КТ3117А КТ3117Б	2N2221 2N2222A
КТ3126А	BF506
КТ3127А	2N4411
КТ3129Б9 КТ3129В9 КТ3129Г9	BC857A BC858A BC858B
КТ3130А9 КТ3130Б9 КТ3130В9	BCW71 BCW72 BCW31
КТ3142А	2N2369
КТ3189А9 КТ3189Б9 КТ3189В9	BC847A BC847B BC847C
КТ635Б	2N3725
КТ639А КТ639Б КТ639В КТ639Г КТ639Д КТ639Е КТ639Ж	BD136-6 BD136-10 BD136-16 BD138-6 BD138-10 BD140-6 BD140-10
КТ644А КТ644Б КТ644В КТ644Г	PN2905A PN2906 PN2907 PN2907A
КТ645А КТ645Б	2N4400 2N4400
КТ646А КТ646Б	2SC495 2SC496
КТ660А КТ660Б	BC337 BC338
КТ668А КТ668Б КТ668В	BC556 BC557 BC558
КТ684А КТ684Б КТ684В	BC636 BC638 BC640
КТ685А КТ685Б КТ685В КТ685Г	PN2906 PN2906A PN2907 PN2907A
КТ686А КТ686Б КТ686В КТ686Г КТ686Д КТ686Е	BC327-16 BC327-25 BC327-40 BC328-16 BC328-25 BC328-40
КТ6109А КТ6109Б КТ6109В КТ6109Г КТ6109Д	SS9012D SS9012E SS9012F SS9012G SS9012H
КТ6110А КТ6110Б КТ6110В КТ6110Г КТ6110Д	SS9013D SS9013E SS9013F SS9013G SS9013H
КТ6111А КТ6111Б КТ6111В КТ6111Г	SS9014A SS9014B SS9014C SS9014D
КТ6112А КТ6112Б КТ6112В	SS9015A SS9015B SS9015C
КТ6113А КТ6113Б КТ6113В КТ6113Г КТ6113Д КТ6113Е	SS9018D SS9018E SS9018F SS9018G SS9018H SS9018I
КТ6114А КТ6114Б КТ6114В	SS8050B SS8050C SS8050D
КТ6115А КТ6115Б КТ6115В	SS8550B SS8550C SS8550D
КТ6116А КТ6116Б	2N5401 2N5400
КТ6117А КТ6117Б	2N5551 2N5550
КТ6128А КТ6128Б КТ6128В КТ6128Г КТ6128Д КТ6128Е	SS9016D SS9016E SS9016F SS9016G SS9016H SS9016I
КТ6136А	2N3906
КТ6137А	2N3904
КТ728А КТ729А	MJ3055 2N3055
КТ808АМ КТ808БМ	2SC1619A 2SC1618
КТ814Б КТ814В КТ814Г	BD136 BD138 BD140
КТ815Б КТ815В КТ815Г	BD135 BD137 BD139
КТ817Б КТ817В КТ817Г	BD233 BD235 BD237
КТ818Б	TIP42
КТ819Б	TIP41
КТ840А КТ840Б	BU326A BU126
КТ856А КТ856Б	BUX48A BUX48
КТ867А	BUY21
КТ872А КТ872Б КТ872Г	BU508A BU508 BU508D
КТ878А КТ878Б КТ878В	BUX98 2N6546 BUX98A
КТ879А КТ879Б	2N6279 2N6278
КТ892А КТ892Б КТ892В	TIP661 BU932Z TIP662
КТ899А	2N6388
КТ8107А	BU508A
КТ8109А	TIP151
КТ8110А	2SC4242
КТ8121А	MJE13005
КТ8126А КТ8126Б	MJE13007 MJE13006
КТ8164А КТ8164Б	MJE13005 MJE13004
КТ8170А1 КТ8170Б1	MJE13003 MJE13002
КТ8176А КТ8176Б КТ8176В	TIP31A TIP31B TIP31C
КТ8177А КТ8177Б КТ8177В	TIP32A TIP32B TIP32C
КТ928А КТ928Б КТ928В	2N2218 2N2219 2N2219A
КТ940А КТ940Б КТ940В	BF458 BF457 BF459
КТ961А КТ961Б КТ961В	BD139 BD137 BD135
КТ969А	BF469
КТ972А КТ972Б	BD877 BD875
КТ973А КТ973Б	BD878 BD876
KT9116A KT9116Б	TPV-394 TPV-375
KT9133A	TPV-376
KT9142A	2SC3218
KT9150	TPV-595
KT9151A	2SC3812
KT9152A	2SC3660

Характеристики

Технические свойства этого биполярника на удивление хороши, даже по сегодняшним меркам. К сожалению, в даташит современного производителя КТ315, представлена только основная информация. В них не найти графиков, отражающих поведение устройство в различных условиях эксплуатации, которыми наполнены современные технические описания на другие подобные устройства от зарубежных производителей.

Максимальные характеристики

Максимальные значения допустимых электрических режимов эксплуатации КТ315 до сих пор впечатляют начинающих радиолюбителей. Например, максимальный ток коллектора может достигать уровня в 100 мА, а рабочая частота у некоторых экземпляров превышает заявленные 250 МГц. Его более дорогие современники из серии КТ2xx/3xx, даже имея металлический корпус, не могли похвастаться такими показателями. КТ315 был долгое время своеобразным техническим лидером, пока ему на смену не пришёл усовершенствованный КТ3102. Рассмотрим максимально допустимые электрические режимы эксплуатации КТ315, в корпусе ТО-92, белорусского ОАО «Интеграл». В конце обозначения таких приборов присутствует цифра «1».

Основные электрические параметры

Будьте внимательны, несмотря на свои достаточно хорошие характеристики, КТ315 не может конкурировать с современными устройствами по некоторым параметрам. Так у современной серии КТ315, как и 50 лет назад, относительно небольшой диапазон рабочих температур от — 45 до + 100°C. А коэффициент шума (КШ) достигает 40 Дб, что уже много для современного устройства, предназначенного для усиления в низкочастотных трактах.

Классификация

Кроме основных параметров, в техническом описании можно найти распределение устройств по группам. Таблица классификации дает представление о параметрах всей серии КТ315. Используя её можно подобрать нужное устройство, путем сравнения основных характеристик всей серии.

Комплементарная пара

У КТ315 имеется комплементарная пара – КТ361. Эти устройства довольно часто применялись вместе, особенно в бестрансформаторных двухтактных схемах. Совместное применение данной пары безусловно вошло в историю российской электроники.